三星高层携最新1b DRAM样品访英伟达，力推HBM技术创新

2025年2月18日，据多方消息报道，三星芯片部门的负责人Young Hyun Jun于近日亲自前往美国英伟达总部进行访问。此次访问的主要目的是向英伟达展示三星最新研发的1b DRAM芯片样品，这一举动在业界引起了广泛关注。

据了解，三星此次展示的1b DRAM芯片样品，是专为高带宽内存(HBM)设计的。该芯片作为第五代10纳米产品，原计划用于HBM3E的生产。然而，在研发过程中，三星曾遭遇良品率和过热问题，一度考虑放弃1b DRAM，转而使用其前代产品1a DRAM来生产HBM3E 8H和12H，并计划跳过1b DRAM，直接使用1c DRAM生产HBM4。然而，由于英伟达方面认为1b DRAM在性能和潜力上具有独特优势，因此坚持要求三星继续改进并投入使用。为了满足客户的需求，三星不得不重新调整研发计划，投入更多资源进行1b DRAM的设计改进。

据悉，此次展示的1b DRAM芯片样品正是基于英伟达此前提出的设计改进要求而精心打造的。通常情况下，三星设备解决方案(DS)部门的负责人不会亲自向客户展示样品，但此次访问无疑彰显了三星对英伟达这一重要客户的重视程度。Young Hyun Jun不仅是DS部门的负责人，还兼任该部门下的内存业务负责人，并作为DRAM领域的专家，主导了此次1b DRAM的设计改进工作。

英伟达方面对于三星此次的展示表示了高度关注。此前，在2025年1月的CES展会上，英伟达首席执行官黄仁勋曾表示，三星需要重新设计其HBM以通过英伟达的资格认证。而此次三星展示的1b DRAM芯片样品，正是对英伟达这一要求的积极响应。

值得注意的是，三星的竞争对手SK海力士已经在向英伟达供应采用1b DRAM生产的HBM3E 12H产品。同时，美光科技也预计将在近期开始生产面向英伟达人工智能加速器所需的HBM产品。面对激烈的市场竞争，三星此次的改进和展示无疑是一次重要的反击。三星方面表示，其“改进版”HBM3E的准备工作进展顺利，并计划在今年第二季度正式量产并供货。

此次三星芯片部门负责人携1b DRAM样品访问英伟达，不仅展示了三星在DRAM领域的研发实力和技术创新能力，也彰显了三星对于客户需求的高度重视和积极响应。未来，随着三星与英伟达在HBM领域的深入合作，双方有望在高性能计算、人工智能等领域取得更多突破和成果。