泛林推出全球首台钼ALD设备ALTUS Halo，获美光应用

2025年2月19日，半导体设备巨头泛林集团(Lam Research)宣布正式推出全球首台钼原子层沉积(ALD)设备——ALTUS Halo。该设备旨在满足先进半导体制造中对低电阻率、高精度钼沉积的需求，已获得美光等企业的早期应用。

ALTUS Halo的核心优势

ALTUS Halo设备结合了泛林集团的四站模块架构和最新的ALD技术，能够实现工程化的低电阻率钼沉积。这种技术对于千层3D NAND、4F2 DRAM和先进GAA逻辑电路等新兴芯片架构至关重要。与传统钨沉积相比，钼在沟槽填充和电阻性能上表现更优，成为未来芯片制造的新宠。

企业应用进展

美光科技是首批采用ALTUS Halo设备的企业之一。美光负责NAND开发的副总裁Mark Kiehlbauch表示，钼金属化的集成使美光能够在最新一代NAND产品中实现业界领先的I/O带宽和存储容量。此外，ALTUS Halo还支持大规模量产，为半导体制造商提供了更高的灵活性和效率。

市场与技术展望

ALTUS Halo的推出标志着原子层沉积领域20多年来的重大突破。随着AI和高性能计算需求的不断增长，钼沉积技术将成为未来半导体制造的关键。泛林集团的这一创新不仅提升了芯片性能，还为下一代半导体器件的扩展提供了技术支持。

此外，泛林集团还同期推出了等离子体蚀刻设备Akara，其采用固态等离子体源，支持更大纵横比的超高精度蚀刻，进一步完善了其在半导体制造设备领域的布局。

总之，ALTUS Halo的成功推出和应用，不仅展示了泛林集团在半导体设备领域的技术实力，也为全球半导体产业的未来发展提供了新的动力。