聚焦 2025 IMW，下一代存储关键技术即将震撼亮相

2025 年的 IEEE 国际存储器研讨会（IMW）作为半导体存储器技术研发领域的重要国际会议，即将盛大召开。这一盛会备受业界瞩目，届时众多领先的存储技术将纷纷发布，为存储行业的未来发展指明方向。

据相关介绍，Kioxia 公司将报告具有 CBA（CMOS 直接键合到阵列）结构的 3D NAND 闪存的交叉位线 (CBL) 架构。CBA 结构通过晶圆键合堆叠外围电路和存储单元阵列，在此次报告中有望详细解释其在位线布局方面的显著优势，这对于提升 3D NAND 闪存的性能和可靠性具有重要意义。

三星公司也有多项重要成果展示。一方面，描述了具有非圆形通道孔形状的多孔 VNAND 闪存架构的阈值电压建模。在当前的研究趋势中，人们致力于通过改变通道孔的横截面形状来提高存储密度，如将其制成椭圆形或半圆形而非传统的圆形，三星的这一成果正是这一努力的体现。另一方面，三星还将报告第 9 代 3D VNAND 闪存的片上电容器技术，以及为未来多位 3D VNAND 开发的双陷阱层技术成果，这些技术的应用将进一步提升 3D VNAND 闪存的性能和容量。

美光公司模拟了椭圆度（可想象为 “孔形”）对 3D NAND 读取窗口边缘的影响，这有助于深入了解通道孔形状对存储性能的影响，为后续的技术改进提供理论支持。

旺宏电子国际公司（MXIC）开发了一种用于 3D 堆叠外围电路的垂直通道高压晶体管，其目的是使 1,000 层和超多层 3D NAND 的字线驱动器小型化。这一技术的应用将有助于提高 3D NAND 的集成度和性能。同时，MXIC 还将报告由两个 SONOS 晶体管组成的单元的 “L2 范数 / 欧几里得距离” 计算的特性结果，并对单元电池和单元阵列的特性进行评估。此外，MXIC 还将讲解一种提高具有交叉点结构的仅选择器存储器可靠性的技术，讨论减轻尖峰电流和提高读取寿命的方法。

SanDisk Technologies 将展示用于 3D Flash 的低成本 on - pitch 选择栅极技术，这一技术有望降低 3D Flash 的制造成本，提高其市场竞争力。应用材料公司将报告将共形 MoS2（二硫化钼）引入 40:1 高深宽比结构及其在 300 毫米晶圆上的 3D NAND 闪存制造中的应用，为 3D NAND 闪存的制造工艺带来新的突破。

Lam Research 通过共同优化沉积和蚀刻，实现了 3D NAND 闪存的孔蚀刻和层间电介质接触的集成，并将报告用于闪存中字线金属的钼（Mo）原子层沉积（ALD）技术，这将有助于提高 3D NAND 闪存的制造工艺水平和性能。

Everspin Technologies 将展示一种基于 STT - MRAM 的反熔丝宏，旨在嵌入存储器、SoC、FPGA 等，为这些设备提供更高效的存储解决方案。

东北大学开发出一种自旋轨道扭矩磁随机存取存储器（SOT - MRAM）单元技术，该技术具有写入能量低、不需要外部磁场、写入时间短至亚纳秒等优点，适用于非易失性存储器。同时，还讨论了倾斜自旋轨道扭矩结构和磁各向异性的设计技术，为 SOT - MRAM 的进一步发展奠定了基础。

此次 IEEE 国际存储器研讨会汇聚了众多企业和科研机构的最新研究成果，将为存储行业的发展带来新的机遇和挑战。相信这些技术的不断创新和发展，将推动存储行业迈向一个新的台阶。