台积电 3 纳米持续领先，国际竞争格局再升级

在半导体行业的激烈竞争中，台积电的 3 纳米制程技术表现卓越，优势显著。市场近期有消息传出，三星计划押注资源发展 2 纳米制程，预计最快明年在美国德州厂率先导入 2 纳米制程，试图借此实现对台积电的弯道超车。然而，半导体业界透露，三星目前以 GAAFET 打造的 3 纳米制程，大约仅相当于目前竞争对手 4 纳米 FinFET 的水准。由此推测，其 2 纳米制程的效能恐怕不如台积电最后也是最强一代的 3 纳米 FinFET。值得一提的是，台积电针对 3 纳米制程发展了更多的家族成员，如 N3X、N3C、N3A 等不同应用，未来仍将是主流客户的首选。

从目前智能手机旗舰芯片的使用情况来看，大部分旗舰芯片都采用了台积电第二代 3 纳米（N3E）制程，只有三星 Exynos 2500 使用了自家的 3 纳米 GAAFET。今年，各家业者预计迭代进入第三代 3 纳米（N3P）制程。据供应链消息，台积电去年底 N3P 已进入量产阶段，预计今年整体产能将增长超过 6 成。与此同时，供应链还表示，随着产能的提升，包括再生晶圆、钻石碟、特用化学品等的用量也显著增加。

三星在制程技术上积极追赶，其 2 纳米制程预计最快将于今年底量产，并计划明年首季率先在美国德州 Taylor 厂导入 2 纳米制程。虽然看似在 2 纳米落地美国的时间上有望弯道超车台积电，但半导体业者指出，台积电始终严守最先进制程在台湾发展，未来在海外厂会以台湾母厂（Mother Fab）为目标。

IC 设计业者也透露，在整体晶片表现上，台积电制程仍能达到更佳效果。例如，同样以 Arm Cortex - X925 超大核心设计的天玑 9400，频率可达 3.62GHz，优于 Exynos 2500 的 3.3GHz，且在发表时间上领先约 3 季。这表明三星代工已明显无法满足国际晶片大厂最先进的需求。

为满足客户美国制造的需求，台积电亚利桑那州二厂进入加速建设阶段，预计明年第三季进行机台 Move - in。未来，台积电还将携手台湾供应链，积极参与国际竞争，推动整体产业升级。

今年五月，台积电副总经理张宗生在技术论坛上表示，随着全球 AI 应用与高效能运算（HPC）需求的快速扩张，台积电持续加快制程升级与全球建厂的脚步。今年预计新增 9 座厂区，其中包括 8 座晶圆厂与 1 座先进封装厂。这一举措将使 3 纳米今年的产能大幅提升，成长有望超过 6 成。张宗生指出，目前 3 纳米家族制程已进入第三年量产，其多样的技术版本，如 N3E、N3P、N3X 等，能够满足客户多样化的产品需求。而且，尽管 3 纳米制程复杂度高于前代，但良率表现仍维持与 5 纳米相当的水准，甚至已具备车用芯片的品质要求，相关产品今年已开始出货。

在 2 纳米技术方面，台积电采用了新一代纳米片晶体管架构，制程更为精细。初期良率已超越预期，预计将于 2025 年下半年大规模量产，并在台湾新竹与高雄建置专属产线。在全球制造布局上，美国亚利桑那州厂区已于 2024 年底量产 4 纳米制程，日本熊本厂也于今年初加入生产行列，良率表现与台湾接近。此外，德国德勒斯登的特殊制程厂正加速建设，以配合欧洲伙伴打造韧性供应链。

在封装领域，台积电 3D Fabric 平台整合 SYC 与 COAS 技术，在复杂性大幅提升的同时仍维持高良率表现。自 2022 年至 2026 年，SYC 与 COAS 产能分别成长逾 100% 与 80%。位于台中、嘉义、竹南与龙潭的新封装厂将支援大量 AI 与 HPC 应用需求，并规划设立海外封装基地。同时，台积电还大幅导入 AI 与大数据强化自动化制程管理，通过早期异常侦测、智能排程与制程参数优化，有效缩短生产周期逾三成，机台效能与初期良率更趋近模厂水准。

综上所述，台积电在 3 纳米制程技术上的持续发展和多维度布局，使其在半导体行业的领先地位更加稳固，也为全球半导体产业的发展带来了新的动力和方向。