铠侠将开发新型CXL存储：功耗优于DRAM，密度与读取速度超NAND

近日，铠侠公司宣布了一项重要的技术突破，计划开发一种全新的CXL接口存储技术。这项创新得到了日本新能源产业技术综合开发机构(NEDO)的支持，预计将在后5G信息和通信系统时代为存储解决方案带来革命性的变化。

随着人工智能(AI)技术的普及和应用的深化，数据量呈现出指数级增长的趋势。传统的存储方式，如DRAM和NAND闪存，已逐渐难以满足日益增长的数据处理需求。为此，铠侠致力于开发一种新型的CXL存储技术，旨在解决这一问题。

据铠侠介绍，这种新型CXL存储技术将具有诸多优势。首先，在功耗方面，新型CXL存储将低于传统的DRAM内存，这意味着数据中心等应用场所可以在保持高性能的同时，实现更低的能耗。其次，在存储密度方面，新型CXL存储将提供更高的位密度，使得存储设备能够容纳更多的数据。最后，在读取速度方面，新型CXL存储将超越当前的NAND闪存，为用户提供更快的数据读取体验。

为了实现这一目标，铠侠计划在未来三年内投资约360亿日元用于新型CXL存储器的研发。此外，日本经济产业省也承诺提供180亿日元的补贴，以支持该项技术的迅速发展。铠侠表示，其目标是使新型CXL存储在2030年代早期实现商业化，从而为全球范围内的数据中心和云计算平台等应用场所带来显著的性能提升和成本降低。

值得一提的是，铠侠已经在2023年的闪存峰会(FMS)上展示了基于3D NAND和XL-Flash的两种CXL存储设备。这些设备分别面向对性能和可靠性要求高的场景以及对存储容量要求更高的应用。通过采用特殊的控制器和CXL协议，这些设备可以实现更低的延迟和更高的性能。

具体来说，基于CXL和XL-Flash的设备主要面向内存数据库和AI推理工作负载等高性能应用场景。而基于CXL和BiCS 3D NAND的设备则主要面向大数据和AI训练等对存储容量要求更高的应用。在现场展示的1.3 TB CXL 1.1/CXL 2.0 BiCS 3D NAND设备样品中，采用了E1.S的Form Factor，可以提供更高的性能和散热能力。

展望未来，铠侠的新型CXL存储技术有望在数据中心、云计算平台以及高性能计算(HPC)等领域发挥重要作用。随着企业愈加依赖大型数据分析和实时处理能力，对存储技术的要求也越来越高。铠侠的新技术不仅能够满足当前市场的需求，更能为未来更多数据密集型应用提供必要的支持。

对于技术爱好者和行业决策者来说，铠侠的这一技术突破无疑是一个值得关注的机遇。若能如期实现商业化，这项技术极有可能为众多行业带来巨大的变革。无论是在高性能计算、云服务还是在日常消费电子产品中，CXL存储都有潜力成为不可或缺的重要组成部分。

总之，铠侠将开发的新型CXL存储技术将具有功耗低、密度高和读取速度快等优势，有望为全球范围内的数据中心和云计算平台等应用场所带来显著的性能提升和成本降低。随着技术的不断发展和市场的不断拓展，CXL存储有望成为未来存储领域的重要趋势之一。