三星3D NAND量产提效:光刻胶用量减半,每年节省数十亿韩元
近日,三星电子宣布在生产3D NAND闪存方面取得了重大突破,成功实现了光刻胶用量的大幅缩减,降幅达到此前用量的一半,这一创新举措不仅提高了生产效率,更将为三星节省每年数十亿韩元的巨额成本。
据悉,三星电子在生产3D NAND闪存的过程中,通过精确控制涂布机的转速(rpm)以及优化PR涂层后的蚀刻工艺,成功将每层涂层所需的光刻胶(PR)量从原来的7-8cc降至4-4.5cc。这一改进不仅减少了光刻胶的使用量,更提高了生产效率。
除了控制涂布机转速和优化蚀刻工艺外,三星还采用了更厚的氟化氪(KrF)光刻胶。通常情况下,一次工艺只能形成一层涂层,而使用更厚的光刻胶,三星可以一次形成多个层,从而提高了工艺效率。然而,更厚的光刻胶在生产过程中也带来了挑战,由于光刻胶具有高粘度,在涂层工艺时会导致均匀性问题。为此,三星与长期合作伙伴东进半导体化学公司共同研发了高性能光刻胶,并成功应用于生产中。
自2013年起,三星与东进半导体就密切合作,共同研发高性能光刻胶。东进半导体一直是三星KrF光刻胶的独家供应商,为三星第7代(11微米)和第8代(14微米)3D NAND提供了关键材料。从第9代3D NAND开始,三星将全面应用这项新技术。
此次光刻胶用量的减半,不仅提高了生产效率,更将为三星节省每年数十亿韩元的成本。随着3D NAND技术的不断发展和应用领域的拓展,三星电子在存储器市场的竞争力将进一步增强。
3D NAND是一种非常重要的存储器技术,它采用了垂直堆叠的设计,相比传统的2D NAND具有更高的密度和更低的成本。随着数据需求的不断增长和云计算、人工智能等领域的迅猛发展,对于高容量和高速度的存储解决方案的需求也越来越迫切。三星此次的技术突破,无疑为存储器行业带来了巨大的革新。
未来,三星将继续推动闪存技术的创新,并在未来几年内进一步提高3D NAND的可靠性和耐用性。他们计划通过改善晶体管结构和材料,降低功耗并延长闪存的使用寿命,进一步提高产品的性能和可靠性。这一技术突破将为各行各业带来广泛的应用机会,满足用户对于大容量、高速度和可靠性的存储需求。
此次三星3D NAND量产提效的成功,不仅展示了三星在半导体领域的技术实力,更为全球存储器市场的发展注入了新的活力。未来,随着技术的不断进步和应用领域的拓展,三星将继续引领存储器行业的发展潮流,为全球的科技创新和数字化转型做出更大的贡献。

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