三星3D NAND量产提效：光刻胶用量减半，每年节省数十亿韩元

近日，三星电子宣布在生产3D NAND闪存方面取得了重大突破，成功实现了光刻胶用量的大幅缩减，降幅达到此前用量的一半，这一创新举措不仅提高了生产效率，更将为三星节省每年数十亿韩元的巨额成本。

据悉，三星电子在生产3D NAND闪存的过程中，通过精确控制涂布机的转速(rpm)以及优化PR涂层后的蚀刻工艺，成功将每层涂层所需的光刻胶(PR)量从原来的7-8cc降至4-4.5cc。这一改进不仅减少了光刻胶的使用量，更提高了生产效率。

除了控制涂布机转速和优化蚀刻工艺外，三星还采用了更厚的氟化氪(KrF)光刻胶。通常情况下，一次工艺只能形成一层涂层，而使用更厚的光刻胶，三星可以一次形成多个层，从而提高了工艺效率。然而，更厚的光刻胶在生产过程中也带来了挑战，由于光刻胶具有高粘度，在涂层工艺时会导致均匀性问题。为此，三星与长期合作伙伴东进半导体化学公司共同研发了高性能光刻胶，并成功应用于生产中。

自2013年起，三星与东进半导体就密切合作，共同研发高性能光刻胶。东进半导体一直是三星KrF光刻胶的独家供应商，为三星第7代(11微米)和第8代(14微米)3D NAND提供了关键材料。从第9代3D NAND开始，三星将全面应用这项新技术。

此次光刻胶用量的减半，不仅提高了生产效率，更将为三星节省每年数十亿韩元的成本。随着3D NAND技术的不断发展和应用领域的拓展，三星电子在存储器市场的竞争力将进一步增强。

3D NAND是一种非常重要的存储器技术，它采用了垂直堆叠的设计，相比传统的2D NAND具有更高的密度和更低的成本。随着数据需求的不断增长和云计算、人工智能等领域的迅猛发展，对于高容量和高速度的存储解决方案的需求也越来越迫切。三星此次的技术突破，无疑为存储器行业带来了巨大的革新。

未来，三星将继续推动闪存技术的创新，并在未来几年内进一步提高3D NAND的可靠性和耐用性。他们计划通过改善晶体管结构和材料，降低功耗并延长闪存的使用寿命，进一步提高产品的性能和可靠性。这一技术突破将为各行各业带来广泛的应用机会，满足用户对于大容量、高速度和可靠性的存储需求。

此次三星3D NAND量产提效的成功，不仅展示了三星在半导体领域的技术实力，更为全球存储器市场的发展注入了新的活力。未来，随着技术的不断进步和应用领域的拓展，三星将继续引领存储器行业的发展潮流，为全球的科技创新和数字化转型做出更大的贡献。