三星大幅削减3D NAND生产中光刻胶用量，供应商面临挑战

近日，三星电子在其3D NAND闪存生产中取得了重要进展，成功大幅减少了光刻胶的使用量。据三星电子官方透露，这一举措将光刻胶的使用量直接减半，从以往的每层涂层需要消耗大约7-8立方厘米的光刻胶降低到了现在的4-4.5立方厘米。这一显著变化不仅体现了三星在工艺控制方面的精湛技艺，也预示着生产效率的大幅提升。

三星之所以要减少光刻胶的使用，主要是为了降低NAND闪存的生产成本。长期以来，三星一直采用厚薄适中的氟化物(KrF)光刻胶来生产3D NAND，因为这种光刻胶在层沉积方面具有显著优势，能够同时形成多层结构，从而提高生产效率。然而，高粘度的厚光刻胶在涂层均匀性方面存在一定的挑战。为了解决这一难题，同时保持厚光刻胶的优势，三星早在2013年就开始与韩国供应商东进世美肯展开合作，并成功推出了3D NAND产品。

据行业分析师预测，三星这一成本削减措施将对其独家供应商东进世美肯产生较大影响。东进世美肯作为三星KrF光刻胶的独家供应商，每年从光刻胶销售中获得约2500亿韩元的收入，其中约60%来自三星。随着三星削减光刻胶用量，东进世美肯的订单量预计将大幅减少，从而影响到其整体营收。

面对这一挑战，东进世美肯已实施了一项应急计划，以应对可能的营收下降。同时，东进世美肯董事长李辅燮呼吁包括美源商事、三养化成和凯姆特罗斯在内的原材料供应商也积极寻求节约成本的方法，以减轻因三星削减光刻胶用量带来的冲击。

据了解，三星在光刻工艺中减少光刻胶用量的举措是通过两项关键创新实现的。首先，三星在涂覆过程中优化了每分钟转数(rpm)和涂覆机旋转速度，在保持最佳蚀刻条件的同时减少了光刻胶的使用量。这一调整在保证涂覆质量的同时实现了大幅成本节约。其次，三星对光刻胶涂覆后的蚀刻工艺进行了改进，尽管材料使用量减少了，但仍能达到同等或更好的效果。

然而，三星这一举措在全球光刻胶市场也引起了广泛关注。光刻胶作为半导体核心耗材，直接影响晶圆良率与品质。目前，全球光刻胶市场由日本大厂主导，占据八成市场。日本地震等自然灾害就曾导致光刻胶供应告急，给全球半导体产业链带来不小的冲击。因此，三星削减光刻胶用量的举措可能会进一步加剧全球光刻胶市场的紧张形势。

对于国内光刻胶产业而言，这一变化也带来了新的挑战和机遇。受制于国内光刻胶技术发展水平，目前国内g线、i线光刻胶自给率为20%，KrF光刻胶的自给率不足5%，而适用于12英寸硅片的ArF光刻胶则基本依靠进口。因此，国内光刻胶企业需要加大研发投入，提高技术水平，加快国产化进程，以应对全球光刻胶市场的变化。

总的来看，三星大幅削减3D NAND生产中光刻胶用量的举措虽然有助于降低成本、提高生产效率，但也给其供应商带来了不小的挑战。未来，随着全球半导体产业的不断发展，光刻胶市场将呈现出更加复杂多变的态势。国内光刻胶企业需要紧跟市场变化，加强技术创新和产业升级，以应对可能出现的各种挑战和机遇。