曝三星将携手长江存储，引入创新技术破NAND闪存困局

中国北京时间2025年02月25日，星期二——据韩国媒体报道，全球领先的半导体制造商三星电子近日宣布，将与中国存储芯片厂商长江存储签署3D NAND混合键合专利许可协议。此举标志着三星将首次引入长江存储的专利技术，以应对其在NAND闪存技术发展上遇到的挑战，并加速下一代产品的开发进程。

根据协议内容，三星将从其第10代V-NAND(V10)产品开始，使用长江存储的专利技术，特别是在“混合键合”技术方面。混合键合技术是一种通过直接将两片晶圆贴合，无需传统凸点连接，从而缩短电气路径、提高性能与散热能力，同时优化生产效率的创新技术。长江存储早在四年前就率先将混合键合技术应用于3D NAND制造，并命名为“晶栈(Xtacking)”，同时建立了完善的专利布局。

三星计划于2025年下半年启动大规模生产其V10 NAND闪存。这款新型NAND预计将达到约420至430层的堆叠高度，标志着技术上的又一次飞跃。然而，随着堆叠层数的不断增加，特别是当超过400层时，下层外围电路所受的压力增大，对可靠性造成了影响。为了解决这一问题，三星决定在V10 NAND中引入W2W混合键合技术。

业内人士指出，目前掌握3D NAND混合键合关键专利的公司包括美国Xperi、中国长江存储和中国台湾台积电。三星经过评估认为，从下一代V10 NAND开始，其已经无法再避免长江存储专利的影响。因此，选择与长江存储进行合作，成为了三星应对技术挑战的重要策略。

这一合作不仅体现了三星对长江存储技术实力的认可，也预示着存储行业将迎来更加紧密的国际合作与技术交流。长江存储在闪存技术领域的创新已经取得了显著成果，其晶栈Xtacking技术通过独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路，为NAND闪存带来了更高的I/O接口速度和更多的操作功能。这一创新加工方式的选择，使得NAND闪存在性能上实现了显著提升。

对于长江存储来说，此次向三星这样的头部存储技术大厂提供专利许可，属于是中国存储产业历史上的首次。这充分凸显了长江存储在3D NAND领域的技术创新实力，并有望为中国存储芯片产业带来更多的发展机遇。

此外，除了三星，SK海力士也在开发用于400层以上NAND产品的混合键合技术。业内人士认为，未来SK海力士同样可能需要与长江存储达成专利授权协议，以加速其技术的研发进程。

此次合作不仅有助于三星解决技术难题，加速下一代NAND产品的开发，同时也为中国存储芯片厂商提供了更多的国际合作机会。随着NAND技术的不断进步，存储行业的未来充满了无限可能。