型号等于：	M25PX16 (1) M25PX80 (1) ME2101 (1) ME2106 (1) ME6219 (1) ME7660 (1)
型号起始：	MTFDKC* (1) EDB8164* (15) EDBA164* (14) EDY4016* (2) JR28F03* (7) JR28F06* (8) JS28F00* (12) JS28F06* (6) JS28F12* (12) JS28F25* (24) JS28F32* (2) JS28F51* (13) JS28F64* (9) M25P05-* (4) M25P10-* (11) M25P128* (4) M25P16-* (22) M25P16S* (1) M25P20-* (7) M25P20S* (1) M25P23-* (3) M25P32-* (7) M25P40-* (25) M25P40_* (1) M25P80-* (15) M25P80S* (2) M25PE10* (8) M25PE16* (6) M25PE20* (8) M25PE40* (9) M25PE80* (7)
所属品牌：	不限 MICRON(7092)
功能分类：	不限动态存储器(1359) 双倍数据速率(803) PC(181) 静态存储器(115) 内存集成电路(398) 时钟(213) 光电二极管(273) 闪存(170) 存储(102) 传感器(26) 图像传感器(26) 外围集成电路(10) CD(10) PCN(5) 个人通信(5) 换能器(5) 手机(2) 电子(4) 转换器(1) 升压转换器(1) 驱动器(1)

MICRON - 型号起始; 总记录数：8143

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		JS28F064M29EWLB 中文翻译品牌: MICRON	(x8/x16), 3V, Single Bit Per Cell, Page Read, Parallel NOR Flash Memory
		JS28F064M29EWLBTR 中文翻译品牌: MICRON	存储容量(Mb):64Mb（8M x 8，4M x 16）;内存数据长度(bit):8M ;字编码数(k):8M ;最大存取时间(ns）:70ns;最小工作电压(V):2.7V;最大工作电压(V):3.6V;元器件封装:56-TSOP;	存储
		JS28F064M29EWTA 中文翻译品牌: MICRON	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu	PC
		JS28F064M29EWXX 中文翻译品牌: MICRON	Parallel NOR Flash Embedded Memory
		JS28F128J3F75A EDA模型中文翻译品牌: MICRON	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu	PC
		JS28F128J3F75B 中文翻译品牌: MICRON	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu	PC
		JS28F128J3F75D 中文翻译品牌: MICRON	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu	PC
		JS28F128J3F75H 中文翻译品牌: MICRON	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu	PC
		JS28F128M29EWHF 中文翻译品牌: MICRON	Parallel NOR Flash Embedded Memory	光电二极管内存集成电路闪存
		JS28F128M29EWLA EDA模型中文翻译品牌: MICRON	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu	PC
		JS28F128M29EWXX 中文翻译品牌: MICRON	Parallel NOR Flash Embedded Memory
		JS28F128P30BF75A EDA模型中文翻译品牌: MICRON	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu	PC
		JS28F128P30TF75A EDA模型中文翻译品牌: MICRON	Numonyx Axcell P30-65nm Flash Memory 恒忆Axcell P30-65nm闪存	闪存
		JS28F128P33BF70 中文翻译品牌: MICRON	NumonyxÂ® P33-65nm Flash Memory 128-Mbit, 64-Mbit Single Bit per Cell (SBC) NumonyxÂ® P33-65nm快闪记忆体128兆， 64兆每单元单比特（ SBC ）
		JS28F128P33BF70A EDA模型中文翻译品牌: MICRON	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu	PC
		JS28F128P33TF70A 中文翻译品牌: MICRON	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu	PC
		JS28F256J3F105A 中文翻译品牌: MICRON	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu	PC
		JS28F256J3F105B 中文翻译品牌: MICRON	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu	PC
		JS28F256M29EWHA EDA模型中文翻译品牌: MICRON	Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器	闪存存储
		JS28F256M29EWHB 中文翻译品牌: MICRON	Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器	闪存存储
		JS28F256M29EWLA EDA模型中文翻译品牌: MICRON	Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器	闪存存储
		JS28F256M29EWLB 中文翻译品牌: MICRON	Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器	闪存存储
		JS28F256P30B 中文翻译品牌: MICRON	Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器（ P30-65nm ）	闪存存储
		JS28F256P30B95A 中文翻译品牌: MICRON	Numonyx StrataFlash Embedded Memory 恒忆的StrataFlash嵌入式存储器	存储内存集成电路光电二极管
		JS28F256P30BFA 中文翻译品牌: MICRON	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu	PC
		JS28F256P30BFB 中文翻译品牌: MICRON	1.7V to 2.0V VCC (core) voltage, 1.7V to 3.6V VCCQ (I/O) voltage
		JS28F256P30BFE EDA模型中文翻译品牌: MICRON	256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm 256MB和512MB （256 / 256MB ）， P30-65nm
		JS28F256P30BFF 中文翻译品牌: MICRON	256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm 256MB和512MB （256 / 256MB ）， P30-65nm
		JS28F256P30T95A 中文翻译品牌: MICRON	64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
		JS28F256P30TFA 中文翻译品牌: MICRON	Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器（ P30-65nm ）	闪存存储内存集成电路光电二极管

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MICRON是什么品牌：Micron(镁光)是美国的半导体巨头。自1978年成立以来，它一直专注于存储芯片的设计和制造。它有自己的晶圆工厂，也是美国唯一的存储芯片制造商。Micron(Micron)的主要产品是DRAM和Flash。Micron(镁光)的市值在全球半导体行业一直保持在第5-第10位，在存储行业一直排名第二。Micron(镁光)在各个国家都有Site，Micron(镁光)有近30个R&D中心和工厂，主要在美国、中国、意大利、日本、新加坡、台湾省、波多黎各、以色列、马来西亚等地。 Micron(镁光)是四大存储巨头中唯一icron(Micron)是唯一一家在上海设立R&D机构的公司。在过去的10年里，上海R&D中心已经独立生产了几代产品，现在最新的3DMemory设计也在上海落户。通过这张简单的图片，我们可以看到美光上海的设计主要分为IC、System和Control设计。