品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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JS28F00AM29EWHA
EDA模型
中文翻译 品牌: MICRON |
Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器 |
闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 | ||
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JS28F00AM29EWHB
中文翻译 品牌: MICRON |
Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器 |
闪存 存储 | |||
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JS28F00AM29EWLA
中文翻译 品牌: MICRON |
Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器 |
闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 | ||
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JS28F00AP30BF
中文翻译 品牌: MICRON |
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器( P30-65nm ) |
闪存 存储 | ||
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JS28F00AP30EF
中文翻译 品牌: MICRON |
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器( P30-65nm ) |
闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 | ||
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JS28F00AP30TF
中文翻译 品牌: MICRON |
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器( P30-65nm ) |
闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 | |||
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JS28F00AP30TFA
EDA模型
中文翻译 品牌: MICRON |
Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu | PC | ||
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JS28F00AP33BFA
EDA模型
中文翻译 品牌: MICRON |
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm) | 光电二极管 内存集成电路 闪存 | ||
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JS28F00AP33TFA
EDA模型
中文翻译 品牌: MICRON |
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm) | 光电二极管 内存集成电路 | ||
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JS28F064M29EWHA
EDA模型
中文翻译 品牌: MICRON |
Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu | PC | ||
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JS28F064M29EWTA
中文翻译 品牌: MICRON |
Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu | PC | ||
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JS28F128J3F75A
EDA模型
中文翻译 品牌: MICRON |
Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu | PC | ||
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JS28F128J3F75B
中文翻译 品牌: MICRON |
Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu | PC | ||
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JS28F128J3F75D
中文翻译 品牌: MICRON |
Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu | PC | ||
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JS28F128J3F75H
中文翻译 品牌: MICRON |
Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu | PC | |||
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JS28F128M29EWHF
中文翻译 品牌: MICRON |
Parallel NOR Flash Embedded Memory | 光电二极管 内存集成电路 闪存 | ||
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JS28F128M29EWLA
EDA模型
中文翻译 品牌: MICRON |
Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu | PC | ||
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JS28F128P30BF75A
EDA模型
中文翻译 品牌: MICRON |
Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu | PC | ||
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JS28F128P30TF75A
EDA模型
中文翻译 品牌: MICRON |
Numonyx Axcell P30-65nm Flash Memory 恒忆Axcell P30-65nm闪存 |
闪存 | ||
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JS28F128P33BF70
中文翻译 品牌: MICRON |
Numonyx® P33-65nm Flash Memory 128-Mbit, 64-Mbit Single Bit per Cell (SBC) Numonyx® P33-65nm快闪记忆体128兆, 64兆每单元单比特( SBC ) |
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JS28F128P33BF70A
EDA模型
中文翻译 品牌: MICRON |
Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu | PC | ||
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JS28F128P33TF70A
中文翻译 品牌: MICRON |
Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu | PC | ||
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JS28F256J3F105B
中文翻译 品牌: MICRON |
Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu | PC | |||
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JS28F256M29EWHA
EDA模型
中文翻译 品牌: MICRON |
Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器 |
闪存 存储 | ||
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JS28F256M29EWHB
中文翻译 品牌: MICRON |
Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器 |
闪存 存储 | ||
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JS28F256M29EWLA
EDA模型
中文翻译 品牌: MICRON |
Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器 |
闪存 存储 | ||
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JS28F256M29EWLB
中文翻译 品牌: MICRON |
Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器 |
闪存 存储 | ||
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JS28F256P30B
中文翻译 品牌: MICRON |
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器( P30-65nm ) |
闪存 存储 | |||
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JS28F256P30B95A
中文翻译 品牌: MICRON |
Numonyx StrataFlash Embedded Memory 恒忆的StrataFlash嵌入式存储器 |
存储 内存集成电路 光电二极管 | |||
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JS28F256P30BFE
EDA模型
中文翻译 品牌: MICRON |
256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm 256MB和512MB (256 / 256MB ) , P30-65nm |
MICRON是什么品牌:Micron(镁光)是美国的半导体巨头。自1978年成立以来,它一直专注于存储芯片的设计和制造。它有自己的晶圆工厂,也是美国唯一的存储芯片制造商。Micron(Micron)的主要产品是DRAM和Flash。Micron(镁光)的市值在全球半导体行业一直保持在第5-第10位,在存储行业一直排名第二。Micron(镁光)在各个国家都有Site,Micron(镁光)有近30个R&D中心和工厂,主要在美国、中国、意大利、日本、新加坡、台湾省、波多黎各、以色列、马来西亚等地。
Micron(镁光)是四大存储巨头中唯一icron(Micron)是唯一一家在上海设立R&D机构的公司。在过去的10年里,上海R&D中心已经独立生产了几代产品,现在最新的3DMemory设计也在上海落户。通过这张简单的图片,我们可以看到美光上海的设计主要分为IC、System和Control设计。