型号等于：	M25PX16 (1) M25PX80 (1) ME2101 (1) ME2106 (1) ME6219 (1) ME7660 (1)
型号起始：	MTFDKC* (1) EDB8164* (15) EDBA164* (14) EDY4016* (2) JR28F03* (7) JR28F06* (8) JS28F00* (12) JS28F06* (6) JS28F12* (12) JS28F25* (24) JS28F32* (2) JS28F51* (13) JS28F64* (9) M25P05-* (4) M25P10-* (11) M25P128* (4) M25P16-* (22) M25P16S* (1) M25P20-* (7) M25P20S* (1) M25P23-* (3) M25P32-* (7) M25P40-* (25) M25P40_* (1) M25P80-* (15) M25P80S* (2) M25PE10* (8) M25PE16* (6) M25PE20* (8) M25PE40* (9) M25PE80* (7)
所属品牌：	不限 MICRON(7092)
功能分类：	不限动态存储器(1359) 双倍数据速率(803) PC(181) 静态存储器(115) 内存集成电路(398) 时钟(213) 光电二极管(273) 闪存(170) 存储(102) 传感器(26) 图像传感器(26) 外围集成电路(10) CD(10) PCN(5) 个人通信(5) 换能器(5) 手机(2) 电子(4) 转换器(1) 升压转换器(1) 驱动器(1)

MICRON - 型号起始 - 静态存储器; 总记录数：123

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		MT28C3212P2FL 中文翻译品牌: MICRON	FLASH AND SRAM COMBO MEMORY FLASH和SRAM COMBO MEMORY	静态存储器
		MT28C3212P2NFL 中文翻译品牌: MICRON	FLASH AND SRAM COMBO MEMORY FLASH和SRAM COMBO MEMORY	静态存储器
		MT28C3214P2FL 中文翻译品牌: MICRON	FLASH AND SRAM COMBO MEMORY FLASH和SRAM COMBO MEMORY	静态存储器
		MT28C3214P2NFL 中文翻译品牌: MICRON	FLASH AND SRAM COMBO MEMORY FLASH和SRAM COMBO MEMORY	静态存储器
		MT28C3224P18 中文翻译品牌: MICRON	FLASH AND SRAM COMBO MEMORY FLASH和SRAM COMBO MEMORY	静态存储器
		MT28C3224P20 中文翻译品牌: MICRON	FLASH AND SRAM COMBO MEMORY FLASH和SRAM COMBO MEMORY	静态存储器
		MT28C6428P18 中文翻译品牌: MICRON	FLASH AND SRAM COMBO MEMORY FLASH和SRAM COMBO MEMORY	静态存储器
		MT28C6428P20 中文翻译品牌: MICRON	FLASH AND SRAM COMBO MEMORY FLASH和SRAM COMBO MEMORY	静态存储器
		MT45V256KW16PEGA-70WTTR 中文翻译品牌: MICRON	PSRAM（伪SRAM）存储器IC4Mb（256Kx16）并联70ns	静态存储器
		MT45W1MW16BAFB-708WT 中文翻译品牌: MICRON	PSRAM（伪SRAM）存储器IC16Mb（1Mx16）并联70ns54-VFBGA（6x9）	静态存储器
		MT45W1MW16PDGA-70ITTR 中文翻译品牌: MICRON	PSRAM（伪SRAM）存储器IC16Mb（1Mx16）并联70ns48-VFBGA（6x8）	静态存储器
		MT45W2MW16PAFA-85WT 中文翻译品牌: MICRON	PSRAM（伪SRAM）存储器IC32Mb（2Mx16）并联85ns48-VFBGA（6x8）	静态存储器
		MT45W4MW16BCGB-701WT 中文翻译品牌: MICRON	PSRAM（伪SRAM）存储器IC64Mb（4Mx16）并联70ns54-VFBGA（6x8）	静态存储器
		MT45W4MW16BCGB-701WTTR 中文翻译品牌: MICRON	PSRAM（伪SRAM）存储器IC64Mb（4Mx16）并联70ns54-VFBGA（6x8）	静态存储器
		MT45W4MW16PCGA-70ITTR 中文翻译品牌: MICRON	PSRAM（伪SRAM）存储器IC64Mb（4Mx16）并联70ns48-VFBGA（6x8）	静态存储器
		MT45W512KW16BEGB-708WTTR 中文翻译品牌: MICRON	PSRAM（伪SRAM）存储器IC8Mb（512Kx16）并联70ns54-VFBGA（6x8）	静态存储器
		MT54W1MH36B 中文翻译品牌: MICRON	36Mb QDR⑩II SRAM 2-WORD BURST 36MB QDR⑩II SRAM 2字突发	静态存储器
		MT54W1MH36B-4 中文翻译品牌: MICRON	36Mb QDR⑩II SRAM 2-WORD BURST 36MB QDR⑩II SRAM 2字突发	静态存储器
		MT54W1MH36B-5 中文翻译品牌: MICRON	36Mb QDR⑩II SRAM 2-WORD BURST 36MB QDR⑩II SRAM 2字突发	静态存储器
		MT54W1MH36B-6 中文翻译品牌: MICRON	36Mb QDR⑩II SRAM 2-WORD BURST 36MB QDR⑩II SRAM 2字突发	静态存储器
		MT54W1MH36B-7.5 中文翻译品牌: MICRON	36Mb QDR⑩II SRAM 2-WORD BURST 36MB QDR⑩II SRAM 2字突发	静态存储器
		MT54W1MH36BF-4 中文翻译品牌: MICRON	36Mb QDR⑩II SRAM 2-WORD BURST 36MB QDR⑩II SRAM 2字突发	静态存储器
		MT54W1MH36BF-5 中文翻译品牌: MICRON	36Mb QDR⑩II SRAM 2-WORD BURST 36MB QDR⑩II SRAM 2字突发	静态存储器
		MT54W1MH36BF-6 中文翻译品牌: MICRON	36Mb QDR⑩II SRAM 2-WORD BURST 36MB QDR⑩II SRAM 2字突发	内存集成电路静态存储器
		MT54W1MH36BF-7.5 中文翻译品牌: MICRON	36Mb QDR⑩II SRAM 2-WORD BURST 36MB QDR⑩II SRAM 2字突发	静态存储器
		MT54W2MH18B 中文翻译品牌: MICRON	36Mb QDR⑩II SRAM 2-WORD BURST 36MB QDR⑩II SRAM 2字突发	静态存储器
		MT54W2MH18B-4 中文翻译品牌: MICRON	36Mb QDR⑩II SRAM 2-WORD BURST 36MB QDR⑩II SRAM 2字突发	静态存储器
		MT54W2MH18B-5 中文翻译品牌: MICRON	36Mb QDR⑩II SRAM 2-WORD BURST 36MB QDR⑩II SRAM 2字突发	静态存储器
		MT54W2MH18B-6 中文翻译品牌: MICRON	36Mb QDR⑩II SRAM 2-WORD BURST 36MB QDR⑩II SRAM 2字突发	静态存储器
		MT54W2MH18B-7.5 中文翻译品牌: MICRON	36Mb QDR⑩II SRAM 2-WORD BURST 36MB QDR⑩II SRAM 2字突发	静态存储器

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MICRON是什么品牌：Micron(镁光)是美国的半导体巨头。自1978年成立以来，它一直专注于存储芯片的设计和制造。它有自己的晶圆工厂，也是美国唯一的存储芯片制造商。Micron(Micron)的主要产品是DRAM和Flash。Micron(镁光)的市值在全球半导体行业一直保持在第5-第10位，在存储行业一直排名第二。Micron(镁光)在各个国家都有Site，Micron(镁光)有近30个R&D中心和工厂，主要在美国、中国、意大利、日本、新加坡、台湾省、波多黎各、以色列、马来西亚等地。 Micron(镁光)是四大存储巨头中唯一icron(Micron)是唯一一家在上海设立R&D机构的公司。在过去的10年里，上海R&D中心已经独立生产了几代产品，现在最新的3DMemory设计也在上海落户。通过这张简单的图片，我们可以看到美光上海的设计主要分为IC、System和Control设计。