三星押注下一代DRAM，存储巨头预警市场风险

在半导体行业的激烈竞争格局中，三星电子宣布成立一个专门的工作组，全力推进第七代 DRAM 的量产工作。这一战略举措被业界视为具有潜在的颠覆性，有望改变高带宽内存（HBM）领域以及其他相关领域的现有市场动态。此声明是在其业内竞争对手 SK Hynix 和美光取得重大技术进展的背景下发布的，竞争态势愈发激烈。

回顾去年，SK 海力士完成了第六代 DRAM（D1c）的开发工作，并于 8 月对 D1d 进行了工艺可靠性评估。目前，该公司已确保了这一代产品的量产能力，并计划从今年下半年开始将其应用于通用 DRAM。在去年 1 月举行的业绩发布会上，SK 海力士着重强调了其战略投资方向，旨在提高产量，以应对未来的 HBM 供应形势。SK 海力士相关人士表示：“未来我们将把 1c 纳米工艺应用于 HBM4E，通过及时开发和供应来保持市场领先地位。”

与此同时，美光公司上个月也有重大动作，向潜在客户运送基于 “1γ”（伽马）的 DDR5 样品，这与他们在 D1c 技术方面的进步相契合。尽管在第五代 DRAM 方面，SK 海力士和美光最初落后于三星电子，但去年这两家公司都成功将 D1b 实现了商业化。

三星决定停止生产较旧的 10 纳米（1z）工艺 LPDDR4 8 千兆位芯片，这一决策突显了三星对第七代 DRAM 的重新关注。作为此次战略改革的一部分，三星 DS 部门负责人 Jeon Young - hyun 已下令对 D1a（第 4 代）电路进行部分重新设计。该公司计划于 2026 年开始量产 10 纳米级 D1d，并于 2027 年开始量产亚 10 纳米级第一代 DRAM（D0a）。

随着三星电子踏上推进第七代 DRAM 技术的雄心勃勃的征程，行业观察家们正密切关注这些发展对全球内存市场动态的影响。目前，SK 海力士今年专注于高带宽内存投资，美光公司也在推进其 DDR5 产品，技术领先地位的竞争仍在持续升温。其结果不仅会影响相关企业的命运，还可能对未来几年半导体行业的更广泛趋势产生深远影响。

然而，存储大厂 SK 海力士发出了预警。韩国记忆体大厂 SK 海力士昨日公布上季财报，数据显示优于市场预期。但公司警告称，下半年记忆体市场状况不妙，主要原因是美国关税政策尚未确定，这使得全球总体经济存在较大的不确定性，可能导致需求出现波动。法人对此忧心忡忡，担心下半年记忆体市场会蒙上阴影，这可能对南亚科、威刚、十铨等台厂的后市发展不利。

法人目前普遍对记忆体后市持保守态度，预期下半年可能会再度出现 “价量齐跌” 的惨况，只有在美国关税政策实施后，市场情况才有机会进一步明朗。上半年，记忆体市场得益于 AI 产品需求的畅旺，以及业界赶在美国对电子产品加征关税前提前拉货等因素。但市场普遍担忧，提前备货的急单潮退去后，下半年旺季需求可能会受到影响。SK 海力士昨天股价因此未随上季亮眼财报上涨，终场下挫 1.5%。

SK 海力士首季净利比去年同期大增 322%，达到 8.11 兆韩元；营业利益年比暴增 157.8%，达到 7.44 兆韩元（约 52 亿美元）；营收年增 41.9% 至 17.64 兆韩元，为历来单季次高，这三个数字均优于市场预期。不过，上季营业利益季比下滑 7.9%，营收季减 10.8%，反映出传统淡季的影响。

展望后市，SK 海力士指出，美国税政策等总经不确定性已导致需求波动，将影响下半年记忆体市况。虽然一些国家之间的对等关税措施目前已经暂停，但对半导体产品可能遭课征关税的忧虑日渐升高。不过，该公司预期关税对其 AI 伺服器需求的影响有限，PC 和智能手机等消费电子产品的需求，也预料将受惠于业者今年陆续推出新款配备 AI 功能的新产品。

业界指出，当前非 AI 应用记忆体市况大致可分为消费性及车用、工控等利基型市场。其中，消费性市场的 DRAM、储存型快闪记忆体（NAND Flash）随着记忆体晶片大厂减产效应的显现，加上首季 OEM/ODM 回补库存需求强劲，使得 DDR4/DDR5 标准型 DRAM 出现价量回升趋势，NAND Flash 同样出现止跌回升的商机。至于车用、工控市场需求仍相对疲弱，但价格亦有升温迹象。

由于美国加征关税政策可能在第 2 季全面到来，届时 OEM/ODM 厂及终端通路拉货成本都会大幅提升，因此，对消费性市场的冲击可能延伸到至少今年底。SK 海力士 DRAM 行销主管坦言，因为关税政策变动和其他管制，需求不确定性将升高，但这将加速 IT 消费品的需求，因为一些消费者赶在涨价前抢购产品。SK 海力士也试图安抚投资人，表示关税带动的囤货不会导致客户库存过多，不致重创下半年的需求和获利。