三星电子NRD-K半导体研发综合体迎来重要里程碑：将导入ASML High NA EUV光刻设备

近日，三星电子在韩国器兴园区隆重举行了NRD-K新半导体研发综合体的进机仪式，标志着这一占地10.9万平方米的研发中心正式进入设备安装阶段。NRD-K半导体研发综合体将成为三星电子DS部下属三大事业部(存储器、系统LSI和Foundry)的共同核心研发基地，预计到2030年，该项目将累计获得约20万亿韩元(约合人民币1039.2亿元)的投资。

作为三星电子在半导体领域的又一重大布局，NRD-K研发综合体不仅承载着推动技术创新的重要使命，更将引入一系列最先进的半导体生产工具，其中最为引人注目的便是ASML High NA EUV光刻设备。这款光刻机代表了当前半导体制造技术的最前沿，其NA值从标准的0.33提升至0.55，显著增强了光刻机的解析能力，使得设备的分辨率从原来的13纳米提升至8纳米，甚至支持2nm及更小工艺的量产。

ASML High NA EUV光刻机的引入，对三星电子来说具有里程碑式的意义。这一先进的光刻技术能够在微米级别进行极高精度的芯片制造，极大地优化了电路图形的细节刻画，使得更复杂的芯片设计成为可能。NRD-K研发综合体将利用这一技术，加速3D DRAM、千层V-NAND等下一代存储芯片的开发，进一步提升存储芯片的性能与功效。

据三星电子DS部负责人介绍，NRD-K研发综合体不仅将建立从基础研究到量产的下一代半导体技术的良性循环体系，还将包含一条研发专用线，该产线预计将于2025年中投入使用。这一举措将大幅提高开发速度，缩短产品从研发到量产的时间，提高市场响应速度。

ASML High NA EUV光刻机的巨大体积和重量也使其运输和安装过程极为复杂。据悉，这台光刻机的总重达150吨，相当于两架空客A320客机的重量。为了确保这一庞大设备的安全运输和安装，三星电子与ASML密切合作，经过精心的策划和准备，最终成功将其引入NRD-K研发综合体。

随着NRD-K研发综合体的建设和ASML High NA EUV光刻设备的引入，三星电子在半导体领域的竞争力将得到进一步提升。这不仅巩固了三星在存储领域的技术领先地位，还将推动整个半导体产业链的创新与发展。未来，我们有理由期待三星电子在智能设备和存储解决方案领域展现出更加强劲的创新实力与市场领导力。