20% 涨幅！三星 DDR4 涨价背后，DRAM 市场格局如何变动？

在半导体行业中，DRAM（动态随机存取存储器）价格的波动一直备受关注。近期，整个半导体行业的 DRAM 价格呈现出上涨态势。据悉，三星电子本月初已与主要客户敲定了提高 DRAM 供应价格的方案。虽然具体细节因客户而异，但确定 DDR4 DRAM 的平均增长率为两位数，DDR5 DRAM 的平均增长率为个位数，其中 DDR4 约为 20%，DDR5 约为 5%。

一位知情业内人士透露：“三星电子已经以提高的价格与客户签订了 DRAM 供应合同”，并强调 “整个半导体行业的 DRAM 价格都在上涨”。这是三星电子今年首次上调 DRAM 价格，也是近一年来的首次上调。

回顾去年，DRAM 市场受到需求下降和供应过剩的双重影响。据市场调查公司 DRAMeXchange 统计，PC DRAM 通用产品（DDR4 8Gb 1Gx8）的跌势在去年下半年才真正开始，去年 11 月平均合约价格就下跌了 20.59%。然而，从今年 4 月份开始，DRAM 实际固定交易价格开始上涨。上个月，PC 用 DDR4 8Gb（1Gx8 2133MHz）价格环比上涨了 22.22%，这是自去年 4 月以来固定交易价格的首次上涨。

此次价格上涨的原因是多方面的。一方面，库存囤积需求突然增加。PC、手机和服务器制造商的订单有所增加，它们试图在特朗普关税负担增加之前提前获得 DRAM。另一方面，人们认为 DRAM 价格目前处于最低点，这也推动了需求。依据 TrendForce 此前发布的内存现货价格趋势报告，全球三大 DRAM 供应商宣布即将停产 DDR3 与 DDR4 DRAM，这一决策迅速在现货市场激起波澜，买家为避免供应短缺风险，纷纷提前囤积相关内存产品。停产消息在一定程度上缓解了美国关税政策带来的市场观望氛围。部分买家为确保短期内库存充足，甚至愿意接受价格上涨，补货需求的大幅增长直接推动了现货价格全面上扬。

在 PC DRAM 模块领域，供应商的停产决定改变了市场走向，买家囤货热情高涨，询价数量显著增加，价格也顺应市场预期稳步攀升，采购与交易情况有所好转。不过，下半年内存需求走向仍存在变数。短期内，受供应端与采购需求双重影响，现货价格或将在高位波动，后续市场发展还需持续关注。

DRAM 涨价似乎已成业内共识。根据此前消息，SK 海力士公司针对其消费级 DRAM 芯片进行了价格调整，上调幅度超过了 10%。与此同时，市场研究机构 DRAMeXchange 发布的数据进一步证实了 DRAM 市场的价格走势，其中针对个人电脑市场的通用型 DRAM 产品，特别是 DDR4 8Gb 规格，其固定交易价格与 3 月份相比，实现了 22.22% 的显著增长。

分析指出，此次存储器价格上涨主要受到多重因素的影响。全球供应链瓶颈、晶圆产能限制以及美系客户的紧急拉货需求都对价格产生了推动作用。特别是随着人工智能、云计算和 5G 技术的快速发展，对高性能存储器的需求持续增长，促使国际大厂集中资源生产高频宽存储器（HBM）和 DDR5，这在一定程度上挤压了其他通用型 DRAM 的产能。此外，原材料成本上升及地缘政治因素进一步推高了生产成本。

业内人士认为，随着需求的不断增长，DRAM 芯片的价格在短期内可能仍将保持高位运行。DRAMeXchange 的调查也佐证了这一分析，尽管价格上涨，但市场需求并未出现明显放缓。不仅多家海外存储头部企业宣布将从 4 月起提高部分产品报价，国内存储企业也纷纷上调了提货价格。存储行业是典型的周期性行业，存储芯片接下来的价格走势被业内普遍看好。行业专家表示，在存储减产的背景下，NAND Flash 和 DRAM 价格都有望在 2025 年迎来全面回升。

展望未来，中国存储芯片行业将迎来更多的发展机遇和挑战。一方面，随着数字化进程的加速推进和新兴技术的广泛应用，市场对高性能、大容量存储器的需求将持续增长，这将为半导体存储器企业提供更多的市场机会和发展空间。另一方面，半导体存储器行业也面临着技术迭代迅速、市场竞争加剧等挑战。企业需要制定科学合理的战略规划，加大在 DRAM 和 NAND Flash 等主流存储芯片领域的研发投入，提升技术水平和产品性能，以满足市场对高性能存储器的需求；同时，积极拓展新兴市场领域，如物联网、汽车电子等，通过技术创新和产品定制化策略，开拓新的市场空间。