DDR 6 即将登场，惊人速度重塑内存格局

下一代 PC 内存已在紧锣密鼓地筹备中。DDR6 预计将于 2027 年正式问世，目前各大芯片制造商正积极为构建更快、更高效的系统奠定坚实基础。这一即将到来的内存技术革新，无疑将再次提升从游戏设备到 AI 工作负载等各个领域的标准。

DDR6 标准于 2024 年底起草，按照规划预计将于 2027 年实现商用。据台湾行业刊物《商业时报》报道，三星、美光和 SK 海力士的原型设计工作进展十分顺利，目前正将工作重点转向控制器开发。并且，这些公司还在与英特尔和 AMD 紧密合作进行接口测试，预计平台验证将于明年开始。

两家主要的 x86 芯片制造商都计划在其下一代 CPU 中支持 DDR6，为其在 AI 服务器、高性能计算 (HPC) 系统和高端笔记本电脑中的广泛应用铺平道路。据业内人士称，DDR6 将比 DDR5 进行重大的架构升级，默认速度从 8,800 MT/s 开始，最高可达 17,600 MT/s，是当前 DDR5 官方极限的两倍。一些报告表明，超频模块最终可能达到 21,000 MT/s 的速度。

DDR6 的另一个关键升级在于其独特的多通道架构，它具有四个 24 位子通道。与 DDR5 的双 32 位布局相比，这种设计大大提高了并行处理、数据流和带宽效率。不过，这也对模块 I/O 设计和信号完整性提出了更为严苛的要求。

内存制造商将 CAMM2 定位为 DDR6 的关键规格，尤其是在笔记本电脑和其他紧凑型设备中。与传统的 DIMM 和 SO-DIMM 相比，新的模块设计有望带来更佳的性能、更高的容量和更高的效率。华硕和芝奇最近展示了一款以 DDR5 - 10000 速度运行的 64GB CAMM2 模块，这充分凸显了该格式的巨大潜力。

继 DDR6 草案发布后，联合电子设备工程委员会 (JEC) 于本月初发布了 LPDDR6 最终草案，这使得半导体公司、内存制造商和芯片设计人员能够在统一框架下开始测试和验证。据韩国媒体 The Guru 报道，高通、联发科和新思科技已开始为其硬件开发 LPDDR6 支持，而多年来一直致力于该标准的三星和 SK 海力士计划在年底前开始量产 LPDDR6 模块。

DDR5 内存标准于 2020 年 7 月由 AMD Ryzen 7000（“Raphael”）和 Intel Core 13000（“Alder Lake”）正式确定，在过去两年中才真正开始在桌面上慢慢取代其 DDR4 前身，但即将推出的 DDR6 内存已经敲响了大门。

我们对新的 DDR6 内存标准有何期待？我们目前掌握了哪些可靠信息？我们将为您揭晓答案，并为您提供有关 PC、服务器和笔记本电脑下一代 RAM 的可靠背景知识。

三星在 2021 年科技日上谈到了 DDR6 及其演进阶段 DDR6 +，并透露了有关即将推出的内存标准的许多有趣的细节。

如果以 JEDEC 官方批准的速度为基准，DDR5 的推出使其最高数据速率较 DDR4 翻了一番，从 3,400 MT/s 提升至 6,400 MT/s。三星预测 DDR6 也将实现类似的提升，其最高运行速度将达到 12,800 MT/s，即 DDR6-12800。需要注意的是，这些只是 JEDEC 指定的官方标准速度，超频 (OC) 模块可能会远远超过这些速度。因此，带有严格选择的内存模块（“IC”）的内存条应该能够以 OC 模块的形式实现高达 16,800 MT/s 的 DDR6-16800。

就纯内存速度而言，DDR 内存标准的开发将如下所示：

由于从 DDR5 到 DDR6 的变化带来了内存速度的显著提高，因此内存带宽也显著增加。

DDR6 的每个模块内存通道数量将增加到四个，与 DDR5 相比再次翻倍。内存组的数量也增加了两倍，达到 64 个，与 DDR4 相比增加了四倍。

在跨代内存带宽比较中，DDR6 将再次大幅提升：

●DDR 高达 3.2 GB/s

●DDR2 高达 8.5 GB/s

●DDR3 高达 17.0 GB/s

●DDR4 高达 28.8 GB/s

●DDR5 高达 67.2 GB/s

●DDR6 高达 134.4 GB/s +

因此，就目前情况而言，可以假设最快的 DDR6 内存模块将能够提供至少 134.4GB/s 的内存带宽，而 OC 模块每秒可提供更高的内存吞吐量。

与从 DDR4 到 DDR5 的转换一样，新一代内存的功能集将再次显著扩展。三星、美光、南亚和 SK 海力士等所有相关的 DRAM 芯片制造商都已透露了这一点。除了进一步改进的 PMIC（电源管理 IC），用于监控内存模块的能源管理，以及进一步降低的电源电压（VDIMM）之外，奇偶校验和错误纠正的 ECC 功能也将进一步扩展。