Vishay发布高性能40V MOSFET新品SiJK140E

近日，全球领先的分立半导体和被动元件制造商Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号：VSH)宣布推出采用PowerPAK® 10x12封装的新型40V TrenchFET® 四代n沟道功率MOSFET——SiJK140E。这款器件以其优异的导通电阻性能，为工业应用提供了更高的效率和功率密度。

SiJK140E的推出，标志着Vishay在MOSFET技术上的又一次重大突破。与市场上相同占位面积的竞品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的导通电阻降低了32%，同时比采用TO-263-7L封装的40V MOSFET的导通电阻低58%。在10V电压下的典型导通电阻更是低至0.34mΩ，最大限度地减少了传导造成的功率损耗，从而显著提高了效率。

除了卓越的导通电阻性能外，SiJK140E还通过低至0.21°C/W典型值的RthJC改善了热性能。这使得设计人员在选择器件时，无需并联两个器件即可实现相同的低导通电阻，从而提高了系统的可靠性，并延长了平均故障间隔时间(MTBF)。

在封装设计上，SiJK140E也展现出了其先进性。MOSFET采用无线键合(BWL)设计，最大限度地减少了寄生电感，同时最大限度地提高了电流能力。与采用打线键合(BW)封装的TO-263-7L解决方案相比，SiJK140E的PowerPAK 10x12封装占位面积为120mm²，节省了27%的PCB空间，同时厚度减小了50%。

SiJK140E能够提供高达795A的连续漏极电流，这一特性使其在提高功率密度的同时，提供了强大的SOA功能。这使得它非常适合用于同步整流、热插拔和OR-ing功能等应用场景。典型应用包括电机驱动控制、电动工具、焊接设备、等离子切割机、电池管理系统、机器人和3D打印机等。

值得一提的是，SiJK140E还符合RoHS标准且无卤素，经过了100%Rg和UIS测试，保证了其高质量和可靠性。目前，该器件已实现量产，并提供样品供客户测试，订货周期为36周。

Vishay作为全球最大的分立半导体和被动元件制造商之一，一直致力于为工业、计算机、汽车、消费、电信、军事、航空及医疗市场提供高质量的电子元件。此次推出的SiJK140E，再次展现了Vishay在MOSFET技术上的领先地位和创新能力。

Vishay将继续秉承“始终如一的为客户服务”的宗旨，不断进行技术创新和产品改进，以满足客户对更高效、更可靠电子元件的需求。同时，Vishay也将继续扩大其全球制造和销售网络，为客户提供更加便捷和全面的服务。