CSD200 [ETC]
TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 2.5A I(C) | TO-3 ; 晶体管| BJT | NPN | 700V V（ BR ） CEO | 2.5AI （ C） | TO- 3
| 型号： | CSD200 |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 2.5A I(C) | TO-3
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| 文件： | 总3页 (文件大小：240K) |
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CSD20030
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18
ETC
CSD20030D
Zero Recovery㈢ RectifiersWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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16
CREE
CSD20060
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31
ETC
CSD20060D
Zero Recovery㈢ RectifiersWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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50
CREE
CSD20120
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46
ETC
CSD20120D
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58
ETC
CSD20L45CT-A
Super Low Barrier High Voltage Power RectifierWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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1
CITC
CSD22202W15
P-Channel NexFET Power MOSFETWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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49
TI
CSD22204W
采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFETWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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1
TI
CSD22204WT
采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | YZF | 9 | -55 to 150Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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1
TI
CSD22205L
采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFETWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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1
TI
CSD22205LT
采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | YMG | 4 | -55 to 150Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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1
TI
CSD22206W
采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFETWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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1
TI
CSD22206WT
采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | YZF | 9 | -55 to 150Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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1
TI
CSD23201W10
P-Channel NexFET⢠Power MOSFETWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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61
TI
CSD23201W10_16
P-Channel NexFET Power MOSFETWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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0
TI
CSD23202W10
采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、53mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFETWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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TI
CSD23202W10T
采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、53mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | YZB | 4 | -55 to 150Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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1
TI
CSD23203W
采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19.4mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFETWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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1
TI
CSD23203WT
采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19.4mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | YZC | 6 | -55 to 150Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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TI
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