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XN05601(XN5601) [ETC]

複合デバイス － 複合トランジスタ ;
XN05601(XN5601)
型号： XN05601(XN5601)
厂家： ETC    ETC
描述：

複合デバイス － 複合トランジスタ

文件： 总6页 (文件大小：200K)
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複合トランジスタ  
XN05601 (XN5601)  
シリコンPNP エピタキシャルプレーナ形(Tr1部)  
シリコンNPN エピタキシャルプレーナ形(Tr2部)  
Unit: mm  
+0.20  
一般増幅用  
2.90  
–0.05  
+0.10  
–0.06  
0.16  
1.9±0.1  
(0.95) (0.95)  
4
5
6
特ꢀ長  
I
G
1パッケージに2素子内蔵。(独立タイプ)  
実装面積とアセンブリコストの半減が可能。  
G
3
2
1
+0.10  
0.30  
0.50  
–0.05  
+0.10  
–0.05  
10°  
使用素子基本形名  
I
G
2SB0709A (2SB709A)+ 2SD0601A (2SD601A)  
絶対最大定格 (Ta=25˚C)  
I
1 : Collector (Tr1)  
2 : Emitter (Tr2)  
3 : Collector (Tr2)  
4 : Base (Tr2)  
5 : Base (Tr1)  
6 : Emitter (Tr1)  
項目  
記号  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
定格  
–60  
単位  
V
コレクタ･ベース電圧  
コレクタ･エミッタ電圧  
エミッタ･ベース電圧  
コレクタ電流  
せん頭コレクタ電流  
コレクタ･ベース電圧  
コレクタ･エミッタ電圧  
エミッタ･ベース電圧  
コレクタ電流  
せん頭コレクタ電流  
全損失  
Mini6-G1 Package  
–50  
V
Tr1  
–7  
V
形名表示記号：4N  
–100  
–200  
60  
mA  
mA  
V
内部接続図  
ICP  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Tr1  
6
5
4
1
2
3
50  
V
Tr2  
7
V
100  
mA  
mA  
mW  
˚C  
Tr2  
ICP  
200  
PT  
300  
接合部温度  
Tj  
150  
総合  
保存温度  
Tstg  
–55 ~ +150  
˚C  
注)( )内は,従来品番です  
1
複合トランジスタ  
XN05601  
電気的特性 (Ta=25˚C)  
I
G
Tr1部  
項目  
記号  
VCBO  
条件  
IC = –10µA, IE = 0  
最小  
–60  
–50  
–7  
標準  
最大  
単位  
V
コレクタ･ベース電圧  
コレクタ･エミッタ電圧  
エミッタ･ベース電圧  
VCEO  
VEBO  
ICBO  
ICEO  
hFE  
IC = –2mA, IB = 0  
V
IE = –10µA, IC = 0  
V
VCB = –20V, IE = 0  
– 0.1  
–100  
460  
µA  
µA  
コレクタしゃ断電流  
VCE = –10V, IB = 0  
直流電流増幅率  
VCE = –10V, IC = –2mA  
IC = –100mA, IB = –10mA  
VCB = –10V, IE = 1mA, f = 200MHz  
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz  
160  
コレクタ･エミッタ飽和電圧  
トランジション周波数  
コレクタ出力容量  
VCE(sat)  
fT  
– 0.3  
80  
– 0.5  
V
MHz  
pF  
Cob  
2.7  
G
Tr2部  
項目  
記号  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICBO  
条件  
IC = 10µA, IE = 0  
最小  
60  
標準  
最大  
単位  
V
コレクタ･ベース電圧  
コレクタ･エミッタ電圧  
エミッタ･ベース電圧  
IC = 2mA, IB = 0  
50  
V
IE = 10µA, IC = 0  
7
V
VCB = 20V, IE = 0  
0.1  
100  
460  
0.3  
µA  
µA  
コレクタしゃ断電流  
ICEO  
VCE = 10V, IB = 0  
直流電流増幅率  
hFE  
VCE = 10V, IC = 2mA  
IC = 100mA, IB = 10mA  
VCB = 10V, IE = –2mA, f = 200MHz  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
160  
コレクタ･エミッタ飽和電圧  
トランジション周波数  
コレクタ出力容量  
VCE(sat)  
fT  
0.1  
150  
3.5  
V
MHz  
pF  
Cob  
2
Composite Transistors  
XN05601  
Common characteristics chart  
PT — Ta  
500  
400  
300  
200  
100  
0
0
40  
80  
120  
160  
)
(
Ambient temperature Ta ˚C  
Characteristics charts of Tr1  
IC — VCE  
IC — IB  
IB — VBE  
–400  
–350  
–300  
–250  
–200  
–150  
–100  
–50  
–60  
–50  
–40  
–30  
–20  
–10  
0
–60  
–50  
–40  
–30  
–20  
–10  
0
VCE=–5V  
Ta=25˚C  
Ta=25˚C  
VCE=–5V  
Ta=25˚C  
IB=–300µA  
–250µA  
–200µA  
–150µA  
–100µA  
–50µA  
0
0
–2 –4 –6 –8 –10 –12 –14 –16 –18  
0
–100  
–200  
–300  
–400  
0
–0.4  
–0.8  
–1.2  
–1.6  
(
)
(
)
( )  
Base to emitter voltage VBE V  
Collector to emitter voltage VCE  
V
Base current IB µA  
IC — VBE  
VCE(sat) — IC  
hFE — IC  
–10  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
–240  
–200  
–160  
–120  
–80  
–40  
0
IC/IB=10  
VCE=–10V  
VCE=–5V  
–3  
–1  
25˚C  
–25˚C  
Ta=75˚C  
Ta=75˚C  
25˚C  
Ta=75˚C  
25˚C  
–0.3  
–0.1  
–25˚C  
–25˚C  
–0.03  
–0.01  
–0.003  
–0.001  
–1  
–3  
–10 –30 –100 –300 –1000  
–1  
–3  
–10 –30 –100 –300 –1000  
0
–0.4  
–0.8  
–1.2  
–1.6  
–2.0  
(
)
(
)
(
)
Collector current IC mA  
Collector current IC mA  
Base to emitter voltage VBE  
V
3
Composite Transistors  
XN05601  
fT — IE  
Cob — VCB  
NF — IE  
6
5
4
3
2
1
160  
8
7
6
5
4
3
2
1
0
VCB=–10V  
Ta=25˚C  
f=1MHz  
IE=0  
Ta=25˚C  
VCB=–5V  
f=1kHz  
Rg=2kΩ  
Ta=25˚C  
140  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
0
0.01 0.03  
0.1 0.3  
1
3
10  
0.1 0.3  
1
3
10  
30  
100  
–1  
–2 –3 –5 –10 –20 –30 –50 –100  
(
)
(
)
(
)
V
Emitter current IE mA  
Emitter current IE mA  
Collector to base voltage VCB  
NF — IE  
h Parameter — IE  
h Parameter — VCE  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
VCB=–5V  
Rg=50kΩ  
Ta=25˚C  
300  
200  
300  
200  
IE=2mA  
f=270Hz  
Ta=25˚C  
hfe  
hfe  
100  
50  
100  
50  
hoe (µS)  
f=100Hz  
30  
20  
30  
20  
hoe (µS)  
1kHz  
10  
5
10  
5
10kHz  
6
hie (kΩ)  
hre (×10–4  
)
4
3
2
3
2
hie (kΩ)  
VCE=–5V  
f=270Hz  
Ta=25˚C  
2
hre (×10–4  
)
1
0
1
0.1 0.2 0.3 0.5  
1
2
3
5
10  
0.1 0.2 0.3 0.5  
1
2
3
(
5
10  
0.1 0.2 0.3 0.5  
1
2
3
(
5
10  
( )  
V
)
)
Collector to emitter voltage VCE  
Emitter current IE mA  
Emitter current IE mA  
Characteristics charts of Tr2  
IC — VCE  
IB — VBE  
IC — VBE  
240  
200  
160  
120  
80  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
VCE=10V  
Ta=25˚C  
IB=160µA  
VCE=10V  
Ta=25˚C  
140µA  
120µA  
100µA  
25˚C  
80µA  
Ta=75˚C  
–25˚C  
60µA  
40µA  
40  
20µA  
0
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
2.0  
0
2
4
6
8
10  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
(
)
( )  
Base to emitter voltage VBE V  
(
)
V
Base to emitter voltage VBE  
Collector to emitter voltage VCE  
V
4
Composite Transistors  
XN05601  
IC — IB  
VCE(sat) — IC  
hFE — IC  
240  
100  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
IC/IB=10  
VCE=10V  
VCE=10V  
Ta=25˚C  
30  
10  
200  
160  
120  
80  
Ta=75˚C  
25˚C  
3
1
–25˚C  
0.3  
0.1  
25˚C  
Ta=75˚C  
–25˚C  
40  
0.03  
0.01  
0
0
200  
400  
600  
800  
)
1000  
0.1 0.3  
1
3
10  
30  
100  
0.1 0.3  
1
3
10  
30  
100  
(
(
)
(
)
Base current IB µA  
Collector current IC mA  
Collector current IC mA  
fT — IE  
NV — IC  
300  
240  
180  
120  
60  
240  
200  
160  
120  
80  
VCB=10V  
Ta=25˚C  
VCE=10V  
GV=80dB  
Function=FLAT  
Ta=25˚C  
Rg=100kΩ  
22kΩ  
4.7kΩ  
40  
0
0
10  
–0.1 –0.3  
–1  
–3  
–10 –30 –100  
20 30 50 100 200300500 1000  
(
)
(
)
Emitter current IE mA  
Collector current IC µA  
5
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項  
(1) 本資料に記載の製品および技術で、「外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸出する時、ま  
たは、国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。  
(2) 本資料に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、工業所有  
権等の保証または実施権の許諾を意味するものではありません。  
—
一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家電  
(3) 本資料に記載されている製品  
は、標準用途  
製品など)に使用されることを意図しております。  
特別な品  
質、信  
頼性が要  
求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす  
特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)に  
ご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、事前  
弊社営業窓口までご相談願います。  
—
恐れのある用途  
に
(4) 本資料に掲載しております製品  
りますのでご了承ください。したがって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に最新  
の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認ください。  
および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合があ  
(5) 設計に際して、特に最大定格、動作電源電圧範囲、放熱特性については保証範囲内でご使用いただ  
きますようお願い致します。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器の欠陥につ  
いては弊社として責  
また、保証値内のご使用であっても、弊社製品の動作が原因でご使用機器が各種法令に抵触しな  
いような冗長設計をお願いします。  
任を負いません。  
(6) 防湿包装を必要とする製品につきましては、個々の仕様書取り交わしの折、取り決めた条件 (保存  
期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。  
(7) 本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断り  
いたします。  
本資料(データシート)ご利用に際しての注意事項  
A. 本資料は、お客  
記載されている販売可能な品種および技術情報等は、予告なく常に更新しておりますので、ご検討  
にあたっては、早めに弊社営業部門にお問い合わせの上、最新の情報を入手願います。  
様のご用途に応じた適切な松下半導体製品を購入いただくためのご紹介資料です。  
B. 本資料は正確を期し、慎重 に制作したものですが、記載ミス等の可能性があります。したがって、弊  
社は資料中の記述誤り等から生じる損害には責任を負わないものとさせて頂きます。  
C. 本資料は、お客様ご自身でのご利用を意図しております。したがって、弊社の文書による許可なく、  
インターネットや他のあらゆる手段によって複製、販売および第三者に提供するなどの行為を禁止  
いたします。  
2001 MAR  

相关型号：

XN05601G

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, MINI6-G3, 6 PIN
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