IPB144N12N3GATMA1 [INFINEON]
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 120V, 0.0144ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3;
| 型号： | IPB144N12N3GATMA1 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 120V, 0.0144ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3 开关 脉冲 晶体管 |
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IPB144N12N3 G
IPI147N12N3 G IPP147N12N3 G
"%&$!"#™3 Power-Transistor
Product Summary
Features
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Type
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Package
Marking
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Maximum ratings, 2 E T Wꢎ ꢋ ꢆ Uꢇ ꢁ F?=6DD @ E96CH:D6 DA64:7:65
Value
Parameter
Symbol Conditions
Unit
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I ;
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IPB144N12N3 G
IPI147N12N3 G IPP147N12N3 G
Values
typ.
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
max.
Thermal characteristics
R aUA9
.96C>2 = C6D:DE2 ?46ꢁ ;F?4E:@ ? ꢀ 42 D6
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Electrical characteristics, 2 E T Wꢎ ꢋ ꢆ Uꢇ ꢁ F?=6DD @ E96CH:D6 DA64:7:65
Static characteristics
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V >I"aU#
V
V
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;I5V >Iꢁ I ;ꢎ ꢊ ꢄ W ꢑ
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" 2 E6 E9C6D9@ =5 G@ =E2 86
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K
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V
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16C@ 82 E6 G@ =E2 86 5C2 :? 4FCC6?E
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" 2 E6ꢀD@ FC46 =62 <2 86 4FCC6?E
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A2 86 ꢋ
ꢋ ꢐ ꢄ ꢐ ꢀꢐ ꢄ ꢀꢋ ꢋ
IPB144N12N3 G
IPI147N12N3 G IPP147N12N3 G
Values
typ.
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
max.
Dynamic characteristics
$?AFE 42 A2 4:E2 ?46
) FEAFE 42 A2 4:E2 ?46
, 6G6CD6 EC2 ?D76C 42 A2 4:E2 ?46
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, :D6 E:>6
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" 2 E6 E@ D@ FC46 492 C86
" 2 E6 E@ 5C2 :? 492 C86
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" 2 E6 A=2 E62 F G@ =E2 86
) FEAFE 492 C86
K
V
;;ꢎ ꢊ ꢐ /ꢁ V >Iꢎ ꢐ /
--
[9
Reverse Diode
I I
ꢉ :@ 56 4@ ?E:?@ FD 7@ CH2 C5 4FCC6?E
ꢉ :@ 56 AF=D6 4FCC6?E
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-.
7
K
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V
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, 6G6CD6 C64@ G6CJ E:>6
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, 6G6CD6 C64@ G6CJ 492 C86
*-1
%
[9
-# -66 7:8FC6 ꢄ ꢊ 7@ C 82 E6 492 C86 A2 C2 >6E6C 567:?:E:@ ?
, 6Gꢓ ꢋ ꢓꢊ
A2 86 ꢔ
ꢋ ꢐ ꢄ ꢐ ꢀꢐ ꢄ ꢀꢋ ꢋ
IPB144N12N3 G
IPI147N12N3 G IPP147N12N3 G
1 Power dissipation
2 Drain current
P
a\a5S"T 9#
I ;5S"T 9ꢃꢈ V >I"ꢄ ꢐ /
120
100
80
60
50
40
30
20
10
0
60
40
20
0
0
50
100
150
200
0
50
100
150
200
T C [°C]
T C [°C]
3 Safe operating area
I ;5S"V ;Iꢃꢈ T 9ꢎ ꢋ ꢆ Uꢇ ꢈ D 5(
A2 C2 >6E6Cꢗ t ]
4 Max. transient thermal impedance
aUA95S"t ]#
Z
A2 C2 >6E6Cꢗ D 5t ]'T
103
101
ꢄ W D
102
ꢄ ꢐ W D
100
ꢄ ꢐ ꢐ W D
(&-
ꢄ >D
;9
101
(&*
ꢄ ꢐ >D
(&)
(&(-
10-1
(&(*
100
(&()
D:?8=6 AF=D6
10-1
10-2
10-1
100
101
V DS [V]
102
103
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
100
t p [s]
, 6Gꢓ ꢋ ꢓꢊ
A2 86 ꢌ
ꢋ ꢐ ꢄ ꢐ ꢀꢐ ꢄ ꢀꢋ ꢋ
IPB144N12N3 G
IPI147N12N3 G IPP147N12N3 G
5 Typ. output characteristics
I ;5S"V ;Iꢃꢈ T Wꢎ ꢋ ꢆ Uꢇ
6 Typ. drain-source on resistance
;I"\[#5S"I ;ꢃꢈ T Wꢎ ꢋ ꢆ Uꢇ
R
A2 C2 >6E6Cꢗ V >I
A2 C2 >6E6Cꢗ V >I
200
25
ꢄ ꢐ /
ꢆ /
ꢒ /
ꢆ ꢓꢆ /
20
15
10
5
ꢅ /
ꢊ /
150
ꢊ ꢓꢆ /
ꢄ ꢐ /
100
50
0
ꢊ /
ꢆ ꢓꢆ /
ꢆ /
ꢌ ꢓꢆ /
0
0
0
1
2
3
4
5
20
40
60
80
V DS [V]
I D [A]
7 Typ. transfer characteristics
I ;5S"V >Iꢃꢈ LV ;Ih6*hI ;hR ;I"\[#ZNe
A2 C2 >6E6Cꢗ T W
8 Typ. forward transconductance
g S`5S"I ;ꢃꢈ T Wꢎ ꢋ ꢆ Uꢇ
100
80
70
60
50
40
30
20
10
0
80
60
40
20
ꢄ ꢅ ꢆ Uꢇ
ꢋ ꢆ Uꢇ
0
0
2
4
6
8
0
10
20
30
40
50
60
V GS [V]
I D [A]
, 6Gꢓ ꢋ ꢓꢊ
A2 86 ꢆ
ꢋ ꢐ ꢄ ꢐ ꢀꢐ ꢄ ꢀꢋ ꢋ
IPB144N12N3 G
IPI147N12N3 G IPP147N12N3 G
9 Drain-source on-state resistance
10 Typ. gate threshold voltage
>I"aU#5S"T Wꢃꢈ V >I5V ;I
R
;I"\[#5S"T Wꢃꢈ I ;ꢎ ꢆ ꢊ ꢑ ꢈ V >Iꢎ ꢄ ꢐ /
V
A2 C2 >6E6Cꢗ I ;
35
30
25
4
3.5
3
ꢊ ꢄ ꢐ W ꢑ
ꢊ ꢄ W ꢑ
2.5
2
20
ꢍ ꢒ ꢘ
15
af]
1.5
1
10
5
0.5
0
0
-60
-20
20
60
100
140
180
-60
-20
20
60
100
140
180
T j [°C]
T j [°C]
11 Typ. capacitances
12 Forward characteristics of reverse diode
I =5S"V I;
C 5S"V ;Iꢃꢈ V >Iꢎ ꢐ /ꢈ f ꢎ ꢄ ' # K
#
A2 C2 >6E6Cꢗ T W
104
103
9V``
103
102
ꢋ ꢆ Uꢇ
9\``
ꢄ ꢅ ꢆ Uꢇ
ꢋ ꢆ Uꢇ ꢁ ꢍ ꢒ ꢘ
ꢄ ꢅ ꢆ Uꢇ ꢁ ꢍ ꢒ ꢘ
102
101
9_``
101
100
0
0
20
40
60
80
0.5
1
1.5
2
V DS [V]
V SD [V]
, 6Gꢓ ꢋ ꢓꢊ
A2 86 ꢊ
ꢋ ꢐ ꢄ ꢐ ꢀꢐ ꢄ ꢀꢋ ꢋ
IPB144N12N3 G
IPI147N12N3 G IPP147N12N3 G
13 Avalanche characteristics
7I5S"t 7Kꢃꢈ R >Iꢎ ꢋ ꢆ "
14 Typ. gate charge
>I5S"Q TNaRꢃꢈ I ;ꢎ ꢆ ꢊ ꢑ AF=D65
V
I
A2 C2 >6E6Cꢗ T W"`aN_a#
A2 C2 >6E6Cꢗ V ;;
102
10
ꢍ ꢊ /
8
6
4
2
ꢊ ꢐ /
ꢋ ꢆ Uꢇ
ꢋ ꢌ /
ꢄ ꢐ ꢐ Uꢇ
101
ꢄ ꢆ ꢐ Uꢇ
100
100
0
0
101
102
103
10
20
30
40
t AV [µs]
Q gate [nC]
15 Drain-source breakdown voltage
16 Gate charge waveforms
V
8H";II#5S"T Wꢃꢈ I ;ꢎ ꢄ >ꢑ
135
130
125
120
115
110
105
V >I
Q g
V T `"aU#
Q T"aU#
Q `d
Q TQ
Q gate
Q T`
-60
-20
20
60
100
140
180
T j [°C]
, 6Gꢓ ꢋ ꢓꢊ
A2 86 ꢅ
ꢋ ꢐ ꢄ ꢐ ꢀꢐ ꢄ ꢀꢋ ꢋ
IPB144N12N3 G
IPI147N12N3 G IPP147N12N3 G
PG-TO220-3: Outline
, 6Gꢓ ꢋ ꢓꢊ
A2 86 ꢒ
ꢋ ꢐ ꢄ ꢐ ꢀꢐ ꢄ ꢀꢋ ꢋ
IPB144N12N3 G
IPI147N12N3 G IPP147N12N3 G
PG-TO262-3-1 (I²PAK)
, 6Gꢓ ꢋ ꢓꢊ
A2 86 ꢍ
ꢋ ꢐ ꢄ ꢐ ꢀꢐ ꢄ ꢀꢋ ꢋ
IPB144N12N3 G
IPI147N12N3 G IPP147N12N3 G
PG-TO-263 (D²-Pak)
, 6Gꢓ ꢋ ꢓꢊ
A2 86 ꢄ ꢐ
ꢋ ꢐ ꢄ ꢐ ꢀꢐ ꢄ ꢀꢋ ꢋ
IPB144N12N3 G
IPI147N12N3 G IPP147N12N3 G
Published by
Infineon Technologies AG
81726 Munich, Germany
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, 6Gꢓ ꢋ ꢓꢊ
A2 86 ꢄ ꢄ
ꢋ ꢐ ꢄ ꢐ ꢀꢐ ꢄ ꢀꢋ ꢋ
相关型号：
IPB147N03LGATMA1
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0217ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN
INFINEON
IPB156N22NFD
200V、220V、250V 和 300V 的 OptiMOS™ 快速二极管（FD）针对体二极管硬换向进行了优化。这些器件是电信、工业电源、 D 类音频放大器、电机控制和 DC-AC 逆变器等硬开关应用的理想选择。
INFINEON
IPB160N04S203ATMA1
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, GREEN, PLASTIC PACKAGE-7/6
INFINEON
IPB160N04S203ATMA4
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, GREEN, PLASTIC PACKAGE-7/6
INFINEON
IPB160N04S2L03ATMA1
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, GREEN, PLASTIC PACKAGE-7/6
INFINEON
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