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IPM6220ACAZ-T [INTERSIL]

Advanced Triple PWM and Dual Linear Power Controller for Portable Applications; 先进的三重PWM和线性双电源控制器，用于便携式应用
IPM6220ACAZ-T
型号： IPM6220ACAZ-T
厂家： Intersil    Intersil
描述：

Advanced Triple PWM and Dual Linear Power Controller for Portable Applications
先进的三重PWM和线性双电源控制器，用于便携式应用

光电二极管 控制器 便携式
文件： 总15页 (文件大小：518K)
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IPM6220ACAZA-T

 Advanced Triple PWM and Dual Linear Power Controller for Portable Applications

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INTERSIL

IPM6220CA

 Advanced Triple PWM and Dual Linear Power Controller for Portable

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INTERSIL

IPM6220CB

 Analog IC

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ETC

IPM6220EVAL1

 Advanced Triple PWM Only Mode and Dual Linear Power Controller for Portable Applications

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INTERSIL

IPMI-1000-00A1E

 Extension Modules for Slot SBCs

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ADVANTECH

IPN10EL-S

 Material Content Data Sheet

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INFINEON

IPN10EL-S_15

 Material Content Data Sheet

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INFINEON

IPN50R2K0CE

 英飞凌正在拓展采用 SOT-223 封装的CoolMOS™ CE 产品组合，作为 DPAK 的一种高性价比替代产品，在某些设计中还可以减少占据的空间。此封装可以放置在典型的 DPAK 空间，且在热行为上的影响极小。英飞凌的 SOT-223 面向 LED 照明和移动充电器应用。

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INFINEON

IPN50R2K0CEATMA1

 Small Signal Field-Effect Transistor,

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INFINEON

IPN60R360P7S

 CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 专为解决低功率 SMPS 市场典型挑战而设计，具有优异性能和易用性，改进外形规格，提高价格竞争力。SOT-223 封装是高成本效益的一对一插入式 DPAK 替代产品，还能够减少部分设计的空间占用。该产品可在典型 DPAK 所占用空间中安放，具有与之相当的热性能。这一组合使采用SOT-223 封装的CoolMOS™ P7 完美适用于目标应用。

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INFINEON

IPN60R360PFD7S

 600V CoolMOS™ PFD7 超结 MOSFET (IPN60R360PFD7S) 补充了CoolMOS™ 7，可用于消费类应用。采用 SOT-223 封装的 IPN60R360PFD7S，其 RDS(on) 为 360mOhm，降低了开关损耗。600V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET 配置了快速体二极管，可确保器件坚固耐用，进而为客户减少物料清单（BOM）。英飞凌先进的 SMD 封装进一步减少了 PCB 空间，可促进生产。 

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INFINEON

IPN60R600P7S

 CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 专为解决低功率 SMPS 市场典型挑战而设计，具有优异性能和易用性，改进外形规格，提高价格竞争力。SOT-223 封装是高成本效益的一对一插入式 DPAK 替代产品，还能够减少部分设计的空间占用。该产品可在典型 DPAK 所占用空间中安放，具有与之相当的热性能。这一组合使采用SOT-223 封装的CoolMOS™ P7 完美适用于目标应用。

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IPN60R600PFD7S

 600V CoolMOS™ PFD7 超结 MOSFET (IPN60R600PFD7S) 补充了CoolMOS™ 7，可用于消费类应用。采用 SOT-223 封装的 IPN60R600PFD7S，其 RDS(on) 为 600mOhm，降低了开关损耗。600V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET 配置了快速体二极管，可确保器件坚固耐用，进而为客户减少物料清单（BOM）。英飞凌先进的 SMD 封装进一步减少了 PCB 空间，可促进生产。 

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IPN70R1K4P7S

 CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 专为解决低功率 SMPS 市场典型挑战而设计，具有优异性能和易用性，改进外形规格，提高价格竞争力。SOT-223 封装是高成本效益的一对一插入式 DPAK 替代产品，还能够减少部分设计的空间占用。该产品可在典型 DPAK 所占用空间中安放，具有与之相当的热性能。这一组合使采用SOT-223 封装的CoolMOS™ P7 完美适用于目标应用。

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IPN70R2K0P7SATMA1

 Small Signal Field-Effect Transistor, 700V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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IPN70R360P7S

 CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 专为解决低功率 SMPS 市场典型挑战而设计，具有优异性能和易用性，改进外形规格，提高价格竞争力。SOT-223 封装是高成本效益的一对一插入式 DPAK 替代产品，还能够减少部分设计的空间占用。该产品可在典型 DPAK 所占用空间中安放，具有与之相当的热性能。这一组合使采用SOT-223 封装的CoolMOS™ P7 完美适用于目标应用。

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IPN70R600P7S

 CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 专为解决低功率 SMPS 市场典型挑战而设计，具有优异性能和易用性，改进外形规格，提高价格竞争力。SOT-223 封装是高成本效益的一对一插入式 DPAK 替代产品，还能够减少部分设计的空间占用。该产品可在典型 DPAK 所占用空间中安放，具有与之相当的热性能。这一组合使采用SOT-223 封装的CoolMOS™ P7 完美适用于目标应用。

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IPN70R900P7S

 CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 专为解决低功率 SMPS 市场典型挑战而设计，具有优异性能和易用性，改进外形规格，提高价格竞争力。SOT-223 封装是高成本效益的一对一插入式 DPAK 替代产品，还能够减少部分设计的空间占用。该产品可在典型 DPAK 所占用空间中安放，具有与之相当的热性能。这一组合使采用SOT-223 封装的CoolMOS™ P7 完美适用于目标应用。

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IPN80R1K2P7

 800V CoolMOS™ P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足性能，易用性和性价比等市场需求。它主要侧重于反激式应用，包括适配器和充电器，LED驱动器，音频SMPS，辅助和工业电源。

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IPN80R3K3P7

 800V CoolMOSª P7 Power Transistor

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