功率双极晶体管_功率双极晶体管型号_功率双极晶体管品牌-ICPDF资料网

功率双极晶体管

分类：其他晶体管射频双极晶体管 IGBT 小信号双极晶体管功率场效应晶体管功率双极晶体管小信号场效应晶体管射频小信号双极晶体管单结晶体管射频小信号场效应晶体管射频场效应晶体管更多 >

图片	型号	文档	类别	描述	品牌	供应商

	2N1529		功率双极晶体管	5A, 30V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-3

	2N1529		功率双极晶体管	Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 3-Pin TO-5

	2N1529A		功率双极晶体管	Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 3-Pin TO-5

	2N1530		功率双极晶体管	5A, 45V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-3

	2N1530		功率双极晶体管	Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 3-Pin TO-5

	2N1530A		功率双极晶体管	Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 3-Pin TO-5

	2N1531		功率双极晶体管	5A, 60V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-3

	2N1531		功率双极晶体管	Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 3-Pin TO-5

	2N1531A		功率双极晶体管	Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 3-Pin TO-5

	2N1532		功率双极晶体管	5A, 75V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-3

	2N1532		功率双极晶体管	Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 3-Pin TO-5

	2N1532A		功率双极晶体管	Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 3-Pin TO-5

	2N1533		功率双极晶体管	5A, 90V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-3

	2N1533		功率双极晶体管	Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 3-Pin TO-5

	2N1534		功率双极晶体管	5A, 30V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-3

	2N1534		功率双极晶体管	Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 3-Pin TO-5

	2N1535		功率双极晶体管	5A, 45V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-3

	2N1535		功率双极晶体管	Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 3-Pin TO-5

	2N1535A		功率双极晶体管	Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 3-Pin TO-5

	2N1536		功率双极晶体管	5A, 60V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-3

	2N1536		功率双极晶体管	Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 3-Pin TO-5

	2N1536A		功率双极晶体管	Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 3-Pin TO-5

	2N1537		功率双极晶体管	Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 3-Pin TO-5

	2N1537A		功率双极晶体管	Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 3-Pin TO-5

	2N1538		功率双极晶体管	5A, 90V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-3

	2N1538		功率双极晶体管	Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 3-Pin TO-5

	2N1539		功率双极晶体管	5A, 30V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-3

	2N1540		功率双极晶体管	Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 3-Pin TO-5

	2N1540A		功率双极晶体管	Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 3-Pin TO-5

	2N1541A		功率双极晶体管	Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 3-Pin TO-5

Total:600上页 1 2 3 4 567 8 9 10 11...20 下页

总600条记录，每页显示30条记录分20页显示。

功率双极晶体管热门型号

什么是功率双极晶体管

功率双极晶体管（Bipolar Junction Transistor，简称BJT），是一种基于半导体材料的电子元件。它可以被用作放大器、开关和其他电路中的信号处理部件。功率双极晶体管中，集电区和发射区构成了一个PN结，而基区夹在这两者之间。当一个电压被施加在基区时，它能够控制PN结的电阻，从而控制电流流过晶体管。这个过程叫做“注入”（injection），并且它使得电流能够受到控制，从而使晶体管可以用作放大器或开关。