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功率双极晶体管

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	2N3777E3		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin,

	2N3778E3		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin,

	2N3779		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin,

	2N3780		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin

	2N3780E3		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin,

	2N3781		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin

	2N3781E3		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin,

	2N3782		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin

	2N3789XSMD		功率双极晶体管	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed 在密封双极PNP设备

	2N3790		功率双极晶体管	PNP POWER TRANSISTORS JEDEC TO-3 CASE PNP功率晶体管JEDEC TO-3 CASE

	2N3790		功率双极晶体管	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 在一个密封TO3双极PNP设备

	2N3790LEADFREE		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

	2N3790XSMD		功率双极晶体管	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed 在密封双极PNP设备

	2N3791		功率双极晶体管	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 在一个密封TO3双极PNP设备

	2N3791		功率双极晶体管	SILICON PNP POWER TRANSISTORS 硅PNP功率晶体管

	2N3791		功率双极晶体管	PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR PNP大功率硅晶体管

	2N3791LEADFREE		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

	2N3792		功率双极晶体管	PNP POWER TRANSISTORS JEDEC TO-3 CASE PNP功率晶体管JEDEC TO-3 CASE

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	2N3792		功率双极晶体管	PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR PNP大功率硅晶体管

	2N3792LEADFREE		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

	2N3792SMD		功率双极晶体管	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed 在密封双极PNP设备

	2N3846		功率双极晶体管	NPN POWER SILICON TRANSISTOR NPN功率硅晶体管

	2N3846		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 Pin,

	2N3847		功率双极晶体管	N-P-N SILICON POWER TRANSISTOR N-P - N型硅功率晶体管

	2N3847		功率双极晶体管	NPN POWER SILICON TRANSISTOR NPN功率硅晶体管

	2N3847		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 Pin,

	2N3847E3		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 Pin,

	2N3849E3		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 Pin, TO-63, 3 PIN

	2N3850E3		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-59, Metal, 3 Pin, TO-59, 3 PIN

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功率双极晶体管热门型号

什么是功率双极晶体管

功率双极晶体管（Bipolar Junction Transistor，简称BJT），是一种基于半导体材料的电子元件。它可以被用作放大器、开关和其他电路中的信号处理部件。功率双极晶体管中，集电区和发射区构成了一个PN结，而基区夹在这两者之间。当一个电压被施加在基区时，它能够控制PN结的电阻，从而控制电流流过晶体管。这个过程叫做“注入”（injection），并且它使得电流能够受到控制，从而使晶体管可以用作放大器或开关。