功率场效应晶体管
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| 图片 | 型号 | 文档 | 类别 | 描述 | 品牌 | 供应商 | |
| 100N02G-TM3-T |  |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, |  |
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| 100N02G-TN3-R | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, | |
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| 100N02G-TN3-T | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor | |
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| 100N02L-TM3-T | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, | |
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| 100N02L-TN3-R | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, | |
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| 100N02L-TN3-T | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor | |
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| 1011LD110A | |
功率场效应晶体管 | 110 Watts, 32 Volts Pulsed Avionics 1030 to 1090 MHz LDMOS FET 110瓦， 32伏特，脉冲航空电子1030年至1090年兆赫LDMOS FET |
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10N50G-TA3-T | |
功率场效应晶体管 | 10A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET 10A ， 500V N沟道功率MOSFET |
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10N50G-TF1-T | |
功率场效应晶体管 | 10A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET 10A ， 500V N沟道功率MOSFET |
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| 10N50KG-MT-TF2-T | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, | |
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| 10N50KG-TF2-T | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, | |
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| 10N50KG-TF3-T | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, | |
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| 10N50KL-TF2-T | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, | |
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| 10N50KL-TF3-T | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, | |
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10N50L-TF1-T | |
功率场效应晶体管 | 10A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET 10A ， 500V N沟道功率MOSFET |
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10N60L-TA3-T | |
功率场效应晶体管 | 10A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 10A ， 600V N沟道功率MOSFET |
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10N60L-TF1-T | |
功率场效应晶体管 | 10A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 10A ， 600V N沟道功率MOSFET |
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| 10N60L-TF2-T | |
功率场效应晶体管 | 10A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 10A ， 600V N沟道功率MOSFET |
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10N60L-TF3-T | |
功率场效应晶体管 | 10A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 10A ， 600V N沟道功率MOSFET |
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| 10N60L-TF3T-T | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor | |
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10N60L-TQ2-T | |
功率场效应晶体管 | 10A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 10A ， 600V N沟道功率MOSFET |
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10N80G-T3P-T | |
功率场效应晶体管 | 10A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET 10A ， 800V N沟道功率MOSFET |
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10N80G-TF1-T | |
功率场效应晶体管 | 10A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET 10A ， 800V N沟道功率MOSFET |
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10N80L-T3P-T | |
功率场效应晶体管 | 10A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET 10A ， 800V N沟道功率MOSFET |
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10N80L-TF1-T | |
功率场效应晶体管 | 10A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET 10A ， 800V N沟道功率MOSFET |
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| 10NM80L-TMS-T | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, | |
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11N40-TF3-T | |
功率场效应晶体管 | 400V N-CHANNEL MOSFET 400V N沟道MOSFET |
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11N40G-TF3-T | |
功率场效应晶体管 | 400V N-CHANNEL MOSFET 400V N沟道MOSFET |
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11N40L-TF3-T | |
功率场效应晶体管 | 400V N-CHANNEL MOSFET 400V N沟道MOSFET |
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11N50L-TF1-T | |
功率场效应晶体管 | 11A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET 11A ， 500V N沟道功率MOSFET |
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功率场效应晶体管 热门型号
- HAF2015RJ-EL-E
- NVMFD5877NLWFT1G-UM
- NVMFS5830NLWFT1G-UM
- NVTFS5826NLWFTWG-UM
- VNS3NV04PTR-E
- STRH8N10SG
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- STRH40P10HYT
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- STRH40N6SG
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- SFF440JR
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- ML63Q8057-NNNTB(Tray)
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- ML63Q8054-NNNTB(Tray)
- ML63Q8054-NNNTB(Taping)
- ML63Q8037-NNNTB(Tray)
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- ML63Q8057
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- KD2004-D0GW00A
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- ML86V76580
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- ML86101A
- GNE1015TB
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- DTA144TU3HZG
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- 2SK3272-01SJ
- 汽车级MOSFET
- IRF5Y5305CMSCS
- IRF5Y5305CMSCX
- IRFF9120
- 2N6769
- STB57N65M5
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- STWA57N65M5
- STB24N60M2
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- CSD16401Q5T
- CSD16321Q5T
- CSD16327Q3T
- CSD18533Q5AT
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- CSD18503Q5AT
- CSD18532Q5BT
- CSD18502Q5BT
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- CSD19533Q5AT
- STD24N06LT4G
- STD110N02RT4G-VF01
- STD110N02RT4G
什么是功率场效应晶体管
- 功率场效应晶体管（Power MOSFET）是一种广泛应用于功率放大和开关控制的半导体器件。它由金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）演变而来，具有高速度、低驱动电压、低输入电阻、低失真度等特点，因此在现代电子技术中得到了广泛的应用。
功率场效应晶体管的主要部分是由P型衬底、N型漂移层、P型沟道以及N型源和漏极组成。沟道区域上方有一层氧化物作为栅极绝缘层。当栅极施加正向电压时，在沟道区域形成一个近似恒定的P型沟道，使漏极和源极之间形成导通通道，从而控制功率场效应晶体管的导通和截止。功率场效应晶体管主要依靠栅源电压的变化来共同控制漏-源电路上的电流。