HBM4 市场角逐：三星和 SK 海力士策略分歧凸显

在全球存储芯片行业的发展进程中，10 纳米级第六代 DRAM 领域（1c、11 - 12 纳米级）已然成为新的竞争战场。在这场激烈的竞赛中，三星电子与 SK 海力士采取了截然不同的发展策略。

每一代 DRAM 的发展都伴随着制程技术的革新，通过缩小电路线宽，芯片尺寸得以减小，密度得到提高，进而提升了性能和能效。目前，三星、SK 海力士以及美国美光科技公司正在 10 纳米级第四代（1a、14 纳米级）和第五代（1b、11 - 12 纳米级）DRAM 市场展开激烈竞争，而业内观察人士预计，1c DRAM 的竞争将从明年开始愈发激烈。

为了从上一代产品的挫折中恢复过来，三星迅速行动，投资新的生产设施。据业内人士 8 月 11 日透露，三星已于第一季度开始陆续订购 1c DRAM 生产设备，自今年上半年以来一直在采购 DRAM 制造工具，预计将于年底完成生产线建设，并全面投入量产。预计三星将比 SK 海力士提前三到四个月开始量产 1c DRAM。分析师指出，如果三星成功向英伟达供应采用新工艺生产的 DRAM 的第四代高带宽内存（HBM4），它有望重夺约 30 年来首次失去的市场领先地位。

反观 SK 海力士，该公司则推迟大规模支出，直到在与包括 Nvidia 在内的主要客户谈判中确认明年的供应承诺，以确保盈利能力。SK 海力士计划最早于第三季度开始订购设备，并计划于明年实现量产。SK 海力士计划在今年下半年大规模订购 1c DRAM 设备，尽管其 1c DRAM 技术被认为已准备好立即量产，但该公司仍采取谨慎的策略，专注于为英伟达和其他主要客户生产基于 1b DRAM 的第五代 HBM（HBM3E）。SK 海力士计划在第三季度敲定明年的供应协议，并在盈利能力得到保证后继续投资。

在 HBM4 产品方面，三星计划在其 HBM4 产品中使用 1c DRAM，而 SK 海力士则计划在同一类别中采用上一代 1b DRAM。由于三星在 HBM 领域落后于 SK 海力士，因此它寄希望于 DRAM 的代际飞跃来确保性能优势。第二季度，三星向其最大的 HBM 客户英伟达交付了 HBM4 样品，目前正在进行质量测试。SK 海力士已于第一季度向英伟达交付了 HBM4 样品，并正在就明年的供应量进行磋商。

近年来，三星一直试图在 1c DRAM 产量上超越 SK 海力士，以弥补其 1a 和 1b 产品线的失误。该公司一直致力于解决 DRAM 质量问题，这些问题严重到需要重新设计已量产的芯片，也影响了其 HBM 产量，导致 HBM 市场出现亏损，并让三星失去了近 30 年来一直保持的 DRAM 市场领先地位。市场追踪机构 Omdia 报告称，2025 年第一季度，SK 海力士占据了 DRAM 市场 36.9% 的份额，超过三星（份额为 38.6%），位居第二。

此外，在即将于本月 25 日举行的韩美峰会上，人工智能 (AI) 半导体成为重要议题，三星电子、SK 海力士等韩国主要半导体企业正在敲定对美国的追加投资计划。三星电子原计划向位于美国德克萨斯州泰勒市的晶圆代工 (半导体代工) 工厂投资 440 亿美元，但由于去年底业绩不佳，该公司调整投资节奏，投资计划随后下调至 370 亿美元。最初的投资计划包括 4nm 和 2nm 晶圆代工工厂、先进封装设施以及先进技术研发设施，然而，由于当时难以获得客户，导致先进封装设施的 70 亿美元投资全部被放弃。

不过，三星电子于 7 月 28 日与特斯拉签署了价值 23 万亿韩元（165 亿美元）的 AI 芯片的多年供应合同，并在短短十天后成功获得苹果图像传感器的订单，这进一步凸显了其建设尖端封装工厂的必要性。为了规避美国关税压力，从核心芯片制造到后期处理，所有环节都必须在本地完成。三星电子在争取大型科技客户方面最重要的优势在于其集内存、晶圆代工和封装于一体的交钥匙服务。

三星电子对于美国的追加投资，预计不仅在封装方面，在设备和材料方面的投资也将增加。截至今年第一季度末，泰勒 Fab 1 工厂的建设已完成 91.8%，预计将于 10 月底竣工。三星电子计划在年内先完成洁净室的建设，然后在明年陆续安装半导体生产设备。一家为泰勒工厂供应半导体材料的公司的高管表示：“据我了解，由于预期本地投资将增加，目前正在就扩大供应进行商谈。”