瑞萨助力，印度 3nm 芯片设计迈出关键一步

印度电子和信息技术部部长阿什维尼・瓦伊什纳（Ashwini Vaishnaw）宣布，印度即将设计首批 3 纳米半导体芯片，此声明通过 X 上的一条推文发布，并附上了一段精彩的视频。这一举措标志着印度半导体生态系统取得了一项里程碑式的成就，使该国在全球科技竞赛中占据了更为关键的地位。

3 纳米（nm）芯片代表着半导体技术的尖端水平，其尺寸极小，却具备更佳的性能、更高的能效以及更小的体积。这些特性对于 5G 基础设施、人工智能系统和自动驾驶汽车等下一代电子产品而言至关重要，有望彻底改变从移动设备到人工智能系统等各个领域。长期以来，半导体领域一直由美国、韩国和中国台湾等主导，而印度自主设计 3 纳米芯片的举措，表明该国在这一关键的先进技术领域的自主能力正在不断增强，同时也彰显了其减少对外国芯片制造商依赖的雄心。

瓦伊什纳强调了印度全面的半导体发展战略，该战略不仅涵盖设计和制造，还包括组装、测试、标记和封装（ATMP），以及设备、化学品和气体供应链的开发。国际社会对印度半导体潜力的信心显著增强，这一点在达沃斯等全球平台上得到了体现。像应用材料公司（Applied Materials）和泛林集团（Lam Research）等公司已对印度的半导体生态系统进行了大量投资。

诺伊达的新设计中心是北方邦规模最大的同类中心之一，在构建分布式泛印度半导体生态系统方面发挥着关键作用。班加罗尔工厂将进一步增强印度在嵌入式系统和高性能芯片设计领域的影响力，依托印度庞大的人才库和不断扩展的创新基础设施。这些中心预计将共同创造高价值的就业机会，并打造服务于国内和全球市场的深度科技创新中心。

在瓦伊什纳分享的视频中，印度电子和信息技术部（MeitY）的专家展示了印度半导体发展迄今取得的进展。芯片设计将由本土科技公司和初创企业进行，政府支持的举措将提供必要的基础设施和资金支持。

值得一提的是，日本电子和半导体巨头瑞萨印度公司将成为印度第一家端到端设计 3 纳米（nm）芯片的公司。瑞萨电子是嵌入式半导体解决方案的全球领导者，正在印度扩大其业务范围，在诺伊达、班加罗尔和海得拉巴设立设计中心，专注于汽车、工业、基础设施和物联网等领域。“这是我们首次进入 3 纳米工艺，” 瓦伊什纳在诺伊达瑞萨新研发中心落成典礼上表示，“到目前为止，我们已经看到了 7 纳米和 5 纳米的设计。这一步标志着印度半导体发展路线图的一次重大飞跃。”

部长还在线上为该公司位于班加罗尔的设计中心举行了揭幕仪式，进一步扩大了瑞萨电子在印度的业务范围。瓦什纳强调了政府的双重重点 —— 快速扩大电子制造业规模（该行业正以两位数的复合年增长率增长），同时为强大的半导体设计生态系统奠定基础。他表示，印度的定位不仅是成为制造业的中心，更是成为尖端芯片创新的中心。

此外，瓦伊什纳还宣布推出一款全新的半导体学习套件，旨在增强工程专业学生的硬件实践技能。超过 270 所学术机构此前已通过印度半导体项目获得了先进的 EDA（电子设计自动化）软件工具，这些机构也将获得这些实践套件。“这种软硬件学习的融合将培养真正具备行业水平的工程师。我们不仅致力于基础设施建设，更致力于长期人才培养。” 他同时对 CDAC 和 ISM 团队的高效执行表示赞赏。

瑞萨电子首席执行官兼董事总经理柴田英年出席了此次活动，他将印度视为公司的战略基石。他表示，瑞萨正在印度扩展其从架构到测试的端到端半导体能力，同时通过印度半导体计划和生产挂钩激励计划（PLI）等政府支持的举措，积极支持 250 多家学术机构和一系列初创企业。他还强调了印日合作在重新定义全球半导体生命周期方面的重要性。

半导体行业对几乎所有电子设备都至关重要，预计未来几年将呈指数级增长。随着全球供应链面临压力，芯片需求飙升，印度进军 3 纳米芯片设计领域，预计将巩固其在全球科技市场的地位，并促进技术自给自足。