LPDDR6 内存标准正式登场，性能、能效与安全全面升级

近日，JEDEC 固态技术协会正式发布了 JESD209 - 6，也就是最新的低功耗双倍数据速率 6（LPDDR6）标准。这一新版 JESD209 - 6 LPDDR6 标准堪称内存技术的重大里程碑，在性能、能效和安全性等多个关键方面都实现了显著提升。

在性能方面，为了满足人工智能应用以及其他高性能工作负载的需求，LPDDR6 采用了创新的双子通道架构。它在保持 32 字节小访问粒度的同时，还能实现灵活操作。每颗芯片包含 2 个子通道，每个子通道配备 12 条数据信号线（DQs），这一设计极大地优化了通道性能。每个子通道还包含 4 条命令 / 地址（CA）信号，经过精心优化，不仅减少了焊球数量，还提高了数据访问速度。此外，LPDDR6 具备静态效率模式，能够支持大容量内存配置，最大化存储体资源利用率。它还支持灵活的数据访问，可实现实时突发长度控制，支持 32B 和 64B 访问。动态写入 NT - ODT（非目标片上终端）功能，能让内存根据工作负载需求灵活调整 ODT，进一步提升了信号完整性。

在能效方面，为了适应不断增长的能效需求，与 LPDDR5 相比，LPDDR6 采用了更低电压和低功耗的 VDD2 供电，并且强制要求 VDD2 采用双电源设计。其节能特性丰富多样，交替时钟命令输入的采用，有效提升了性能与效率。低功耗动态电压频率调节（DVFSL）技术，能在低频运行时降低 VDD2 电压，从而减少功耗。动态效率模式则在低功耗、低带宽场景下采用单子通道接口。同时，它还支持部分自刷新和主动刷新，大大降低了刷新功耗。

在安全性与可靠性方面，相较于上一版本标准，LPDDR6 也有诸多改进。每行激活计数（PRAC）功能，有力地支持了 DRAM 数据完整性。定义的隔离元模式，通过为关键任务分配特定内存区域，提升了整体系统可靠性。它还支持可编程链路保护方案和片上纠错码（ECC），能够支持命令 / 地址（CA）奇偶校验、错误清理以及内存内置自测试（MBIST），增强了错误检测能力和系统可靠性。

日前，三星电子设备解决方案（DS）部门副董事长全永铉宣布，三星将于今年下半年通过第六代 “1c DRAM” 工艺量产下一代 LPDDR6 内存，并计划向高通等科技巨头供货。1c DRAM 是 DRAM 制造的第六代工艺节点，相比前代技术，其晶体管密度更高、能效比更优。三星通过 “设计变更” 战略，将 1c DRAM 的冷态良率提升至 50%，热态良率达 60% - 70%，并计划在韩国华城工厂建设新生产线，扩大产能。LPDDR6 内存基于 1c 工艺开发，带宽和功耗表现显著提升，可充分满足 AI 模型训练、移动终端算力升级等场景对内存性能的严苛需求。

据悉，高通下一代旗舰芯片 “骁龙 8 Elite Gen2” 将首发支持 LPDDR6 内存，并计划于今年 9 月 23 日的骁龙峰会上亮相。随着 AI 应用向终端设备下沉，LPDDR6 内存的带宽与能效成为关键竞争力。三星计划通过向高通等厂商供货，进一步渗透智能手机、笔记本电脑及 AI 服务器市场，强化其技术壁垒。此外，三星还在 HBM4 等高端存储产品中部署 1c DRAM 技术，构建覆盖 AI 全场景的内存解决方案。

目前，三星已制定 1c DRAM 扩产计划，预计最早于今年年底完成韩国华城工厂生产线建设。此外，该公司正同步开发 DDR 与 LPDDR 用 1c DRAM，打破传统开发顺序，加速商业化进程。

LPDDR6 将逐步取代现有的 LPDDR5 内存及其衍生版本。早在 2019 年 LPDDR5 标准就已发布，在这期间，三星和美光推出了 LPDDR5x，SK 海力士也推出了 LPDDR5T，其传输速率高达 9.6 Gbps。这些低功耗的 DRAM 内存非常适合智能手机、轻薄型设备甚至笔记本电脑 / 迷你台式机等强调低功耗的设备。采用 LPDDR5（X / T）规格的内存模组正越来越多地出现在各种产品中。例如，LPCAMM2 模组凭借其小巧的模块化外形尺寸、更大的容量和更高的可升级性，将彻底改变 PC 内存市场。