XP04506(XP4506) [ETC]
Composite Device - Composite Transistors ; 复合设备 - 复合晶体管\n
| 型号： | XP04506(XP4506) |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | Composite Device - Composite Transistors
|
| 文件： | 总3页 (文件大小：489K) |
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複合トランジスタ
XP04506 (XP4506)
シリコンNPN エピタキシャルプレーナ形
Unit: mm
低周波出力増幅用
+0.05
0.12
–0.02
0.2 0.05
6
5
4
3
特ꢀ長
I
G
エミッタ・ベース電圧VEBO が高い。
G
直流電流増幅率hFE が高い。
1
2
G
オン抵抗Ronが小さい。
(0.65) (0.65)
1.3 0.1
2.0 0.1
10°
使用素子基本形名
I
G
2SD1915F × 2素子
絶対最大定格 (Ta=25˚C)
1 : Emitter (Tr1)
2 : Base (Tr1)
4 : Emitter (Tr2)
5 : Base (Tr2)
I
項目
記号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
定格
50
単位
V
3 : Collector (Tr2)
6 : Collector (Tr1)
SMini6-G1 Package
コレクタ･ベース電圧
コレクタ･エミッタ電圧
エミッタ･ベース電圧
コレクタ電流
せん頭コレクタ電流
全損失
20
V
形名表示記号：EN
素子の
定格
25
V
内部接続図
300
mA
mA
mW
˚C
ICP
500
Tr1
1
2
3
6
5
4
PT
150
総合
接合部温度
保存温度
Tj
150
Tstg
–55 ~ +150
˚C
Tr2
電気的特性 (Ta=25˚C)
I
項目
記号
VCEO
条件
最小
標準
最大
単位
V
コレクタ･エミッタ電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
IC = 1mA, IB = 0
20
ICBO
IEBO
hFE
VCB = 50V, IE = 0
0.1
0.1
µA
µA
VEB = 25V, IC = 0
VCE = 2V, IC = 4mA
VCE = 2V, IC = 4mA
IC = 30mA, IB = 3mA
VCB = 6V, IE = –4mA, f = 200MHz
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz
500
2500
ベース･エミッタ電圧
コレクタ･エミッタ飽和電圧
トランジション周波数
コレクタ出力容量
VBE
VCE(sat)
fT
0.6
80
1
V
V
0.1
7
MHz
pF
Cob
*1
オン抵抗
Ron
Ω
*1
R 測定回路
on
1kΩ
IB=1mA
f=1kHz
V=0.3V
VB
VA
VV
VB
Ron=
×1000(Ω)
VA–VB
注)( )内は,従来品番です
1
Composite Transistors
XP04506
PT — Ta
IC — VCE
IC — VBE
250
24
20
16
12
8
120
100
80
60
40
20
0
Ta=25˚C
VCE=2V
25˚C
200
150
100
50
IB=10µA
8µA
Ta=75˚C
–25˚C
6µA
4µA
4
2µA
0
0
0
20 40 60 80 100 120 140 160
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
2
4
6
8
10
12
(
)
( )
Base to emitter voltage VBE V
(
)
V
Ambient temperature Ta ˚C
Collector to emitter voltage VCE
VCE(sat) — IC
hFE — IC
fT — IE
10
1
2000
1600
1200
800
400
0
200
160
120
80
VCB=6V
Ta=25˚C
IC/IB=10
VCE=2V
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
0.1
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
0.01
40
0.001
0
–0.1
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
–1
–10
–100
(
)
(
)
(
)
Collector current IC mA
Collector current IC mA
Emitter current IE mA
Cob — VCB
20
f=1MHz
Ta=25˚C
16
12
8
4
0
1
10
100
(
)
V
Collector to base voltage VCB
2
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1) 本資料に記載の製品および技術で、「外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸出する時、ま
たは、国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。
(2) 本資料に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、工業所有
権等の保証または実施権の許諾を意味するものではありません。
—
一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家電
(3) 本資料に記載されている製品
は、標準用途
製品など)に使用されることを意図しております。
特別な品
質、信
頼性が要
求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす
特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)に
ご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、事前
弊社営業窓口までご相談願います。
—
恐れのある用途
に
(4) 本資料に掲載しております製品
りますのでご了承ください。したがって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に最新
の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認ください。
および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合があ
(5) 設計に際して、特に最大定格、動作電源電圧範囲、放熱特性については保証範囲内でご使用いただ
きますようお願い致します。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器の欠陥につ
いては弊社として責
また、保証値内のご使用であっても、弊社製品の動作が原因でご使用機器が各種法令に抵触しな
いような冗長設計をお願いします。
任を負いません。
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期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
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本資料(データシート)ご利用に際しての注意事項
A. 本資料は、お客
記載されている販売可能な品種および技術情報等は、予告なく常に更新しておりますので、ご検討
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様のご用途に応じた適切な松下半導体製品を購入いただくためのご紹介資料です。
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社は資料中の記述誤り等から生じる損害には責任を負わないものとさせて頂きます。
C. 本資料は、お客様ご自身でのご利用を意図しております。したがって、弊社の文書による許可なく、
インターネットや他のあらゆる手段によって複製、販売および第三者に提供するなどの行為を禁止
いたします。
2001 MAR
相关型号：
XP0497A
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SMINI6-G1, 6 PIN
PANASONIC
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