业内首颗!晶合集成1.8亿像素全画幅CIS芯片成功试产

近日，国内领先的半导体企业晶合集成宣布，其与国内先进设计公司思特威联合研发的业内首颗1.8亿像素全画幅(2.77英寸)CIS芯片已成功试产。这一里程碑式的成果不仅为高端单反相机应用图像传感器市场提供了更多选择，也标志着全画幅CIS技术进入了全新的发展阶段。

据悉，这款1.8亿像素全画幅CIS芯片是晶合集成基于自主研发的55纳米工艺平台，携手思特威共同开发的光刻拼接技术的结晶。通过克服在像素列中拼接精度管控以及良率提升等难题，晶合集成成功突破了单个芯片尺寸所能覆盖一个常规光罩的极限，确保了拼接后的芯片在纳米级制造工艺中依然保持电学性能和光学性能的连贯一致。

该芯片不仅拥有1.8亿超高像素，还具备8K 30fps PixGain HDR模式高帧率及超高动态范围等多项领先性能。其创新优化的光学结构能够兼容不同光学镜头，显著提升了产品在终端应用的灵活性和适配能力。这一技术突破打破了日本索尼在超高像素全画幅CIS领域的长期垄断地位，为本土产业发展注入了新的活力。

晶合集成在CMOS图像传感器(CIS)产品上的持续加速推进，不仅满足了市场对高性能CIS日益增长的需求，也为全画幅CIS技术的未来发展开辟了新道路。随着8K高清化产业的不断推进，高性能CIS的市场需求将持续扩大。晶合集成此次成功试产的1.8亿像素全画幅CIS芯片，无疑将在高端单反相机市场占据一席之地，并有望推动整个图像传感器行业的技术进步和产业升级。

此外，晶合集成还计划在未来进一步扩充产能，以满足不断增长的市场需求。据悉，晶合集成预计于2024年在技术节点上围绕55纳米、40纳米不同制程产品加速扩充产能，并以高阶CIS产品为扩产主力。同时，晶合集成还将逐步扩充显示驱动芯片产能，提升国内显示驱动芯片的自给率。

业内专家表示，晶合集成此次成功试产1.8亿像素全画幅CIS芯片，不仅展现了其在半导体领域的强大技术实力，也为本土半导体产业的发展注入了新的动力。随着技术的不断进步和市场的不断扩大，晶合集成有望在未来成为半导体行业的领军企业之一。