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AMD DDR5 新专利:内存带宽翻倍,普及之路待解

时间:2025-09-28 13:21:21 浏览:37

近日,AMD 希望获得一项新的 DDR5 内存标准专利,此专利若成功落地,其内存带宽将实现翻倍,但预计它不会很快出现在 PC 上。

12.8 Gbps 的原始带宽,但业界会采用它吗?

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AMD 关于 DDR5 PC 内存新版本的一项专利申请被曝光。该所谓的高带宽双列直插式内存模块(HB - DIMM),旨在通过伪通道、缓冲芯片和智能信号路由等技术手段来显著提升内存带宽。从设计来看,它十分亮眼,不过距离其真正在 PC 上普及,可能还需要一段时间来观察。

Tech4Gamers 披露的 AMD 专利申请文件显示,现代计算平台对内存带宽的要求日益增高。文件中称:“由于高性能图形处理器和服务器等应用程序所需的内存带宽(它们具有多个内核,并且每核带宽要求也相应增加)超过了 DDR DRAM 芯片带宽改进路线图,因此需要改进 DIMM 架构以满足当前 DDR 芯片技术(如 DDR5)的此类要求。”

这个问题的答案是什么?“高带宽 DIMM(HB-DIMM)。这种方法旨在利用 DIMM 外形尺寸中高带宽内存(HBM)格式的优势。”每个 HB-DIMM 主要由内存芯片和缓冲芯片组成。申请文件中写道:“数据缓冲芯片与相应的内存芯片组相连,并通过主机总线以两倍于内存芯片的速率传输来自内存芯片的数据。”

该设计还依赖于所谓的“伪”内存通道和高级信号传输。“RCD 电路包括一个主机总线接口和一个连接到多个内存芯片的内存接口。RCD 电路通过将命令/地址 (C/A) 信号路由到内存芯片来执行通过主机总线接收的命令,从而提供至少两个可独立寻址的伪通道,RCD 电路根据从 C/A 信号中获取的芯片标识符 (CID) 位对每个伪通道进行寻址。”

如果我们的理解正确,这有点像在单个内存DIMM上拥有双通道内存接口。无论如何,最终结果实际上是将DDR5的原生速率从6.4 Gbps翻倍,达到12.8 Gbps。当然,巧妙之处在于,这一切都是使用现有的DDR5内存芯片实现的。无需新一代芯片。

另一方面,支持这款新型 HB-DIMM 内存条所需的 CPU、芯片组和主板可能并不少见,但这似乎并非必然。专有内存标准在 PC 领域发展历程中,并没有太多经验可循。

正如专利申请本身所述,“目前销售的大多数 DRAM 芯片都兼容联合电子设备工程委员会 (JEDEC) 颁布的各种双倍数据速率 (DDR) DRAM 标准。”对于 PC 而言,你几乎可以将“大多数”替换为“全部”。

所以,问题在于这项新标准被采用的可能性有多大。一个显而易见的途径是让 JEDEC 采用它,并使其基本免费使用。很难想象英特尔会向 AMD 支付使用费。尽管英特尔最近陷入困境,但它仍然是 PC 平台领域最大的参与者。所以,你可能会认为英特尔必须加入进来,HB-DIMM 才能真正普及。



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