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功率双极晶体管

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	2N3054ATIN/LEAD		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), NPN,

	2N3055		功率双极晶体管	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package 在一个密封TO3金属封装的双极NPN装置

	2N3055A		功率双极晶体管	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 在一个密封TO3双极NPN装置

	2N3055A		功率双极晶体管	15 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60, 120 VOLTS 115, 180 WATTS 15安培互补硅功率晶体管60 ， 120伏115 ， 180 WATTS

	2N3055A		功率双极晶体管	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 互补硅功率晶体管

	2N3055AG		功率双极晶体管	Complementary Silicon High-Power Transistors 互补硅大功率晶体管

	2N3055C		功率双极晶体管	N-P-N SILICON POWER TRANSISTOR N-P - N型硅功率晶体管

	2N3055E		功率双极晶体管	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. 双极NPN装置在一个密封TO3金属包装。

	2N3055E3		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin,

	2N3055G		功率双极晶体管	Complementary Silicon Power Transistors 互补硅功率晶体管

	2N3055HG		功率双极晶体管	晶体管硅功率 NPN

	2N3055LEADFREE		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

	2N3055SPL		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,

	2N3146		功率双极晶体管	15A, 140V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR

	2N3147		功率双极晶体管	15A, 160V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR

	2N3163		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 Pin

	2N3164		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 Pin

	2N3165		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 Pin

	2N3165E3		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 Pin,

	2N3166		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 Pin

	2N3166E3		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 Pin,

	2N3171		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin

	2N3171E3		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,

	2N3172		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin

	2N3173		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,

	2N3174		功率双极晶体管	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package 在一个密封TO3金属封装的双极PNP设备

	2N3174		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin

	2N3174E3		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,

	2N3175		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 Pin

	2N3176		功率双极晶体管	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-61, Metal, 3 Pin

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功率双极晶体管热门型号

什么是功率双极晶体管

功率双极晶体管（Bipolar Junction Transistor，简称BJT），是一种基于半导体材料的电子元件。它可以被用作放大器、开关和其他电路中的信号处理部件。功率双极晶体管中，集电区和发射区构成了一个PN结，而基区夹在这两者之间。当一个电压被施加在基区时，它能够控制PN结的电阻，从而控制电流流过晶体管。这个过程叫做“注入”（injection），并且它使得电流能够受到控制，从而使晶体管可以用作放大器或开关。