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台积电未来战略蓝图:晶圆级系统集成技术解析

时间:2025-05-19 11:58:06 浏览:47

上周,在 2025 年台积电研讨会上,该公司公布了完整的 2026 - 2028 年逻辑技术路线图。其中,除了备受瞩目的 14A(1.6nm)技术外,更值得关注的是晶圆级系统集成技术 SoW 的又一重大更新 —— SoW-X。这一更新标志着台积电在战略上向系统级集成和以 AI 为核心的性能提升迈出了极为重要的一步。

当前,半导体行业正加速从单一制程微缩向系统级整合转型。台积电以制程与封装双轨驱动的模式,正在重新定义下一代半导体创新的游戏规则。

技术演进:从 InFO - SoW 到 CoW - SoW 的垂直集成

自 2020 年以来,台积电的 InFO - SoW(集成扇出 - 晶圆级系统)技术已在多个尖端产品中实现商业化应用。以特斯拉的 Dojo 超级计算机为例,其处理器直接在完整硅晶圆上构建,通过消除传统切割与封装步骤,显著提升了核心间的通信速度与能效。然而,该技术由于其高复杂度和成本,早期主要应用于高性能计算等特定领域。

根据台积电在 2025 年技术研讨会上发布的最新信息,半导体行业正进入一个前所未有的扩张阶段。预计到 2030 年,全球半导体市场规模将达到 1 万亿美元。推动这一增长的最重要因素是高性能计算(HPC)和人工智能(AI)应用的爆发式发展。

为进一步满足 AI/HPC 对高带宽内存(HBM)与逻辑芯片协同的需求,台积电推出了 CoW - SoW 技术,该技术融合了 InFO - SoW 与 SoIC(集成芯片系统)两大平台。其核心在于实现晶圆级逻辑芯片与内存的垂直堆叠,允许不同制程节点的裸片共存于单一封装内,既能优化成本效益,又能突破单芯片面积限制。例如,结合 HBM4 的 2048 位超宽接口,CoW - SoW 可将数据传输速度提升至每秒 2TB 以上,为 AI 训练与推理提供了关键支持。如今,晶圆级集成已不再是理论设想,而是正在合作中逐步转化为实际产品。

封装创新:扩展集成边界的技术路径

在 2025 年台积电技术研讨会上,台积电强调,制程技术和先进封装必须协同发展,才能满足下一代应用的需求。在 AI、HPC 和系统级集成时代,封装不再仅仅是芯片的载体,而已成为创新的关键推动因素。

台积电推出了 3DFabric 平台,这是一套全面的 2.5D 和 3D 集成技术,旨在克服传统单片设计的扩展限制,支持基于小芯片的架构、高带宽内存集成和异构系统优化。

●CoWoS

CoWoS支持硅中介层和有机中介层,包括带有局部硅桥的有机中介层 CoWoS - L,用于高密度互连;以及纯有机中介层配置 CoWoS - R,适用于对成本敏感的应用。这些选项能够实现灵活的高带宽芯片间通信,特别适合需要 HBM 集成的 HPC 和 AI 工作负载。

●CoWoS - 9.5X

计划于 2027 年量产,这种超大尺寸中介层解决方案支持将 12 个 HBM4 堆栈与逻辑芯片进行异构集成,总封装面积达到 1700mm²,是目前 CoWoS 产品的三倍之大。它专为满足极高带宽和以内存为核心的工作负载而设计。

●InFO(集成扇出)

自 2016 年首次应用于移动 SoC 以来,InFO 技术不断升级并扩展到汽车领域,以满足汽车级可靠性要求。它采用无基板扇出方法,提高了热性能和外形尺寸,实现了更轻薄、集成度更高的系统设计。

●台积电 SoW(晶圆级系统集成)

这是一个前沿的封装平台,支持超越传统掩模版限制的晶圆级集成。SoW 有两种不同的工艺流程:SoW - P(芯片优先),先将芯片放置在晶圆上,然后构建 RDL 进行连接;SoW - X(芯片后置),利用先进的重分布层(RDL)技术先构建晶圆级中介层,然后在晶圆上键合小芯片,能够实现比标准掩模版面积大 40 倍的系统设计,在单个晶圆上互连 200 多个小芯片,与现有的 CoWoS 解决方案相比,计算密度提高了 40 倍。它旨在为预计到 2027 年出现的百亿亿次 AI 超级计算机提供动力支持。

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这些封装策略使台积电能够提供从基于小芯片的 2.5D 设计到完整晶圆级系统的全系列集成选项,加速了异构计算、内存集成和 AI 系统创新。

系统级协同:封装与制程的双轨驱动

台积电的晶圆级集成并非孤立的创新,而是与先进制程深度协同。例如,N2 节点的 GAA 架构通过优化晶体管密度与电源效率,为大规模集成提供了基础;A16 制程引入背面供电网络(BSPDN),将电源噪声降低 60%,解决了 3kW 级 AI 加速卡的供电瓶颈。同时,硅光子技术的整合(如 COUPE 引擎)实现了 1.6Tbps/mm² 的光互连带宽,推动芯片间通信步入了光时代。

从应用场景看,晶圆级集成已从 HPC 扩展至汽车电子与消费领域。特斯拉 Dojo 的成功验证了该技术对实时计算的需求响应,而在自动驾驶领域,台积电通过 N3A 制程与 InFO - Auto 封装,实现了多颗 7nm 视觉处理器与 14nm 控制芯片的异构集成,满足了 ADAS 系统对功能安全的严苛要求。

挑战与未来:中国大陆的原创方案

展望未来,随着 AI 模型复杂度的不断提升,系统级封装将成为半导体创新的核心战场。台积电凭借在先进制程及晶圆级集成领域的技术储备与生态布局,通过分阶段技术升级(如后续的 A14P 节点集成 SPR 供电技术)和差异化平台定位(CoWoS 与 SoW 并行),逐步优化量产能力,为 3D 芯片堆叠、光电融合及人形机器人等新兴场景构建底层支持。

尽管晶圆级系统集成在性能上具有显著优势,但其高复杂度和成本仍是普及的关键障碍。相比之下,中国大陆本土已经开始布局的晶上技术(SDSoW),可基于大陆自主生产的成熟制程芯粒进行集成,结合晶上生成式网络(GINoW),与大模型等算法创新实现软硬件协同,可以获得 3 - 5 个数量级以上的系统级增益,达到媲美一流系统的效果。这一技术布局显示出我国在半导体技术领域的雄心和前瞻,随着晶体管缩放接近物理极限,系统级创新将成为新的摩尔定律。