功率场效应晶体管_功率场效应晶体管型号_功率场效应晶体管品牌-ICPDF资料网

功率场效应晶体管

分类：其他晶体管射频双极晶体管 IGBT 小信号双极晶体管功率场效应晶体管功率双极晶体管小信号场效应晶体管射频小信号双极晶体管单结晶体管射频小信号场效应晶体管射频场效应晶体管更多 >

图片	型号	文档	类别	描述	品牌	供应商

	2N7285D		功率场效应晶体管	16A, 200V, 0.24ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

	2N7285D1		功率场效应晶体管	16A, 200V, 0.24ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

	2N7285D3		功率场效应晶体管	16A, 200V, 0.24ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

	2N7285D4		功率场效应晶体管	16A, 200V, 0.24ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

	2N7285H1		功率场效应晶体管	16A, 200V, 0.24ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

	2N7285H4		功率场效应晶体管	16A, 200V, 0.24ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

	2N7285R1		功率场效应晶体管	16A, 200V, 0.24ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

	2N7285R3		功率场效应晶体管	16A, 200V, 0.24ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

	2N7285R4		功率场效应晶体管	16A, 200V, 0.24ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

	2N7286		功率场效应晶体管	12A, 200V, 0.255ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA

	2N7286D		功率场效应晶体管	12A, 200V, 0.255ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA

	2N7286H		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 200V, 0.255ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA

	2N7286R		功率场效应晶体管	12A, 200V, 0.255ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA

	2N7287D		功率场效应晶体管	12A, 250V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

	2N7287D1		功率场效应晶体管	12A, 250V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

	2N7287D3		功率场效应晶体管	12A, 250V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

	2N7287D4		功率场效应晶体管	12A, 250V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

	2N7287H		功率场效应晶体管	12A, 250V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

	2N7287H1		功率场效应晶体管	12A, 250V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

	2N7287H3		功率场效应晶体管	12A, 250V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

	2N7287H4		功率场效应晶体管	12A, 250V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

	2N7287R3		功率场效应晶体管	12A, 250V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

	2N7287R4		功率场效应晶体管	12A, 250V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

	2N7288D1		功率场效应晶体管	9A, 250V, 0.415ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA

	2N7288D3		功率场效应晶体管	9A, 250V, 0.415ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA

	2N7288D4		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 250V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA

	2N7288R4		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 250V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA

	2N7289		功率场效应晶体管	6A, 500V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

	2N7289D1		功率场效应晶体管	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,6A I(D),TO-204AA

	2N7289D4		功率场效应晶体管	6A, 500V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

Total:600上页 1 10 11 12 13 141516 17 18 19 20 下页

总600条记录，每页显示30条记录分20页显示。

功率场效应晶体管热门型号

什么是功率场效应晶体管

功率场效应晶体管（Power MOSFET）是一种广泛应用于功率放大和开关控制的半导体器件。它由金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）演变而来，具有高速度、低驱动电压、低输入电阻、低失真度等特点，因此在现代电子技术中得到了广泛的应用。功率场效应晶体管的主要部分是由P型衬底、N型漂移层、P型沟道以及N型源和漏极组成。沟道区域上方有一层氧化物作为栅极绝缘层。当栅极施加正向电压时，在沟道区域形成一个近似恒定的P型沟道，使漏极和源极之间形成导通通道，从而控制功率场效应晶体管的导通和截止。功率场效应晶体管主要依靠栅源电压的变化来共同控制漏-源电路上的电流。