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功率场效应晶体管

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	2N6901		功率场效应晶体管	N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET N沟道逻辑电平MOSFET

	2N6901		功率场效应晶体管	N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET N沟道增强型MOSFET

	2N6901		功率场效应晶体管	1690mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AF

	2N6904		功率场效应晶体管	8A, 200V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

	2N6904TX		功率场效应晶体管	8A, 200V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

	2N7000		功率场效应晶体管	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET N通道60 -V （D -S ）的MOSFET

	2N7000KLE3		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

	2N7002BKMB,315		功率场效应晶体管	2N7002BKMB - 60 V, single N-channel Trench MOSFET DFN 3-Pin

	2N7002BKT,115		功率场效应晶体管	2N7002BKT - 60 V, 290 mA N-channel Trench MOSFET SC-75 3-Pin

	2N7002BKW,115		功率场效应晶体管	2N7002BKW - 60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET SC-70 3-Pin

	2N7002DW		功率场效应晶体管	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 双N沟道增强型场效应晶体管

	2N7002E		功率场效应晶体管	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET N通道60 -V （D -S ）的MOSFET

	2N7002E9/3K-E3		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

	2N7002PT,115		功率场效应晶体管	2N7002PT - 60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET SC-75 3-Pin

	2N7081-220M-ISO		功率场效应晶体管	N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET

	2N7082-2		功率场效应晶体管	TRANSISTOR 9 A, 200 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AB, FET General Purpose Power

	2N7085		功率场效应晶体管	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR N沟道增强型晶体管

	2N7086		功率场效应晶体管	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR N沟道增强型晶体管

	2N7086-2		功率场效应晶体管	TRANSISTOR 14 A, 200 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AB, FET General Purpose Power

	2N7091-2		功率场效应晶体管	TRANSISTOR 14 A, 100 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AB, FET General Purpose Power

	2N7092-2		功率场效应晶体管	TRANSISTOR 8 A, 200 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AB, FET General Purpose Power

	2N70G-TF1-T		功率场效应晶体管	2 Amps, 700 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 2安培， 700伏特N沟道功率MOSFET

	2N70G-TF3-T		功率场效应晶体管	2 Amps, 700 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 2安培， 700伏特N沟道功率MOSFET

	2N70G-TM3-T		功率场效应晶体管	2 Amps, 700 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 2安培， 700伏特N沟道功率MOSFET

	2N70G-TN3-R		功率场效应晶体管	2 Amps, 700 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 2安培， 700伏特N沟道功率MOSFET

	2N70L-TA3-T		功率场效应晶体管	2 Amps, 700 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 2安培， 700伏特N沟道功率MOSFET

	2N70L-TF1-T		功率场效应晶体管	2 Amps, 700 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 2安培， 700伏特N沟道功率MOSFET

	2N70L-TF3-T		功率场效应晶体管	2 Amps, 700 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 2安培， 700伏特N沟道功率MOSFET

	2N70L-TM3-T		功率场效应晶体管	2 Amps, 700 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 2安培， 700伏特N沟道功率MOSFET

	2N70L-TN3-R		功率场效应晶体管	2 Amps, 700 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 2安培， 700伏特N沟道功率MOSFET

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功率场效应晶体管热门型号

什么是功率场效应晶体管

功率场效应晶体管（Power MOSFET）是一种广泛应用于功率放大和开关控制的半导体器件。它由金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）演变而来，具有高速度、低驱动电压、低输入电阻、低失真度等特点，因此在现代电子技术中得到了广泛的应用。功率场效应晶体管的主要部分是由P型衬底、N型漂移层、P型沟道以及N型源和漏极组成。沟道区域上方有一层氧化物作为栅极绝缘层。当栅极施加正向电压时，在沟道区域形成一个近似恒定的P型沟道，使漏极和源极之间形成导通通道，从而控制功率场效应晶体管的导通和截止。功率场效应晶体管主要依靠栅源电压的变化来共同控制漏-源电路上的电流。