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功率场效应晶体管

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图片	型号	文档	类别	描述	品牌	供应商

	2N6798TXV		功率场效应晶体管	5.5A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF

	2N6798U		功率场效应晶体管	N-CHANNEL MOSFET N沟道MOSFET

	2N6799		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

	2N6800		功率场效应晶体管	N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET

	2N6800EPBF		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF

	2N6800LCC4		功率场效应晶体管	N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE N沟道增强模式

	2N6800TXV		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF

	2N6802		功率场效应晶体管	POWER MOS FIELD-EFFECT TRANSISTORS 功率MOS场效应晶体管

	2N6802		功率场效应晶体管	N–CHANNEL ENHANCEMENT N沟道增强

	2N6804		功率场效应晶体管	P-CHANNEL MOSFET P沟道MOSFET

	2N6804E3		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, ROHS COMPLIANT, METAL

	2N6806SCC5206/004		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA,

	2N6806SCC5206/004PBF		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA

	2N6845		功率场效应晶体管	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS P沟道增强型高压功率MOSFET

	2N6845		功率场效应晶体管	P-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET P沟道增强型MOSFET

	2N6845		功率场效应晶体管	POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=-4.0A) POWER MOSFET P- CHANNEL （ BVDSS = -100V ， RDS（ON） = 0.60ohm ，ID = -4.0A ）

	2N6845LCC4		功率场效应晶体管	P–CHANNEL POWER MOSFET P沟道功率MOSFET

	2N6847		功率场效应晶体管	-200V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6847 with Hermetic Packaging

	2N6847EBPBF		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF

	2N6847ECPBF		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF

	2N6847EDPBF		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF

	2N6849		功率场效应晶体管	P-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET P沟道增强型MOSFET

	2N6849		功率场效应晶体管	P.CHANNEL POWER MOSFETs P.CHANNEL功率MOSFET

	2N6849EA		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,

	2N6849EB		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,

	2N6849EBPBF		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF

	2N6851		功率场效应晶体管	P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 Metal Package P沟道MOSFET在一个密封TO39金属包装

	2N6851		功率场效应晶体管	-200V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6851 with Hermetic Packaging

	2N6896TX		功率场效应晶体管	6A, 100V, 0.6ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

	2N6898		功率场效应晶体管	POWER MOS FIELD-EFFECT TRANSISTORS 功率MOS场效应晶体管

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功率场效应晶体管热门型号

什么是功率场效应晶体管

功率场效应晶体管（Power MOSFET）是一种广泛应用于功率放大和开关控制的半导体器件。它由金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）演变而来，具有高速度、低驱动电压、低输入电阻、低失真度等特点，因此在现代电子技术中得到了广泛的应用。功率场效应晶体管的主要部分是由P型衬底、N型漂移层、P型沟道以及N型源和漏极组成。沟道区域上方有一层氧化物作为栅极绝缘层。当栅极施加正向电压时，在沟道区域形成一个近似恒定的P型沟道，使漏极和源极之间形成导通通道，从而控制功率场效应晶体管的导通和截止。功率场效应晶体管主要依靠栅源电压的变化来共同控制漏-源电路上的电流。