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功率场效应晶体管

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图片	型号	文档	类别	描述	品牌	供应商

	2N7293R1		功率场效应晶体管	27A, 200V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE

	2N7293R3		功率场效应晶体管	27A, 200V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE

	2N7293R4		功率场效应晶体管	27A, 200V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE

	2N7294		功率场效应晶体管	23A, 200V, 0.115ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA

	2N7294D		功率场效应晶体管	23A, 200V, 0.115ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA

	2N7294H		功率场效应晶体管	23A, 200V, 0.115ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA

	2N7294R		功率场效应晶体管	23A, 200V, 0.115ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA

	2N7295		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 250V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE

	2N7295D		功率场效应晶体管	20A, 250V, 0.17ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE

	2N7295H		功率场效应晶体管	20A, 250V, 0.17ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE

	2N7295R		功率场效应晶体管	20A, 250V, 0.17ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE

	2N7296		功率场效应晶体管	17A, 250V, 0.185ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA

	2N7296H		功率场效应晶体管	17A, 250V, 0.185ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA

	2N7297		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA

	2N7297D		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA

	2N7297H		功率场效应晶体管	10A, 500V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

	2N7297R		功率场效应晶体管	10A, 500V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

	2N7298D		功率场效应晶体管	9A, 500V, 0.615ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA

	2N7298D1		功率场效应晶体管	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,9A I(D),TO-254AA

	2N7298H		功率场效应晶体管	9A, 500V, 0.615ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA

	2N7298H1		功率场效应晶体管	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,9A I(D),TO-254AA

	2N7298H2		功率场效应晶体管	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,9A I(D),TO-254AA

	2N7298H3		功率场效应晶体管	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,9A I(D),TO-254AA

	2N7298R		功率场效应晶体管	9A, 500V, 0.615ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA

	2N7298R3		功率场效应晶体管	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,9A I(D),TO-254AA

	2N7298R4		功率场效应晶体管	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,9A I(D),TO-254AA

	2N7299		功率场效应晶体管	50A, 100V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE

	2N7299D		功率场效应晶体管	50A, 100V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE

	2N7299H		功率场效应晶体管	50A, 100V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE

	2N7299R		功率场效应晶体管	50A, 100V, 0.04ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE

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功率场效应晶体管热门型号

什么是功率场效应晶体管

功率场效应晶体管（Power MOSFET）是一种广泛应用于功率放大和开关控制的半导体器件。它由金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）演变而来，具有高速度、低驱动电压、低输入电阻、低失真度等特点，因此在现代电子技术中得到了广泛的应用。功率场效应晶体管的主要部分是由P型衬底、N型漂移层、P型沟道以及N型源和漏极组成。沟道区域上方有一层氧化物作为栅极绝缘层。当栅极施加正向电压时，在沟道区域形成一个近似恒定的P型沟道，使漏极和源极之间形成导通通道，从而控制功率场效应晶体管的导通和截止。功率场效应晶体管主要依靠栅源电压的变化来共同控制漏-源电路上的电流。