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功率场效应晶体管

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图片	型号	文档	类别	描述	品牌	供应商

	2SJ130STL-E		功率场效应晶体管	Silicon P Channel MOS FET 硅P沟道MOS场效应晶体管

	2SJ132		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

	2SJ132-Z		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

	2SJ132-Z-AZ		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

	2SJ132-Z-T1		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, MP-3, SC-63, 3 PIN

	2SJ160-E		功率场效应晶体管	Silicon P Channel MOS FET 硅P沟道MOS场效应晶体管

	2SJ161		功率场效应晶体管	Silicon P Channel MOS FET 硅P沟道MOS场效应晶体管

	2SJ161-E		功率场效应晶体管	Silicon P Channel MOS FET 硅P沟道MOS场效应晶体管

	2SJ162		功率场效应晶体管	Silicon P Channel MOS FET 硅P沟道MOS场效应晶体管

	2SJ162-E		功率场效应晶体管	Silicon P Channel MOS FET 硅P沟道MOS场效应晶体管

	2SJ172-E		功率场效应晶体管	10A, 60V, 0.25ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

	2SJ173		功率场效应晶体管	SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING 硅P沟道MOS FET高速电源开关

	2SJ179		功率场效应晶体管	Old Company Name in Catalogs and Other Documents 旧公司名称在产品目录等资料

	2SJ179		功率场效应晶体管	P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING P沟道MOS FET，用于高速开关

	2SJ179-AZ		功率场效应晶体管	2SJ179-AZ

	2SJ181L		功率场效应晶体管	Silicon P Channel MOS FET 硅P沟道MOS场效应晶体管

	2SJ181L-E		功率场效应晶体管	Silicon P Channel MOS FET 硅P沟道MOS场效应晶体管

	2SJ181S		功率场效应晶体管	Silicon P Channel MOS FET 硅P沟道MOS场效应晶体管

	2SJ181STL-E		功率场效应晶体管	Silicon P Channel MOS FET 硅P沟道MOS场效应晶体管

	2SJ181STR-E		功率场效应晶体管	Silicon P Channel MOS FET 硅P沟道MOS场效应晶体管

	2SJ183		功率场效应晶体管	TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

	2SJ183TE16R		功率场效应晶体管	TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

	2SJ186CYTL		功率场效应晶体管	0.5A, 200V, 12ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

	2SJ186CYUR		功率场效应晶体管	0.5A, 200V, 12ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

	2SJ187		功率场效应晶体管	Very High-Speed Switching Applications 超高速开关应用

	2SJ188		功率场效应晶体管	Very High-Speed Switching Applications 超高速开关应用

	2SJ189		功率场效应晶体管	Very High-Speed Switching Applications 超高速开关应用

	2SJ190		功率场效应晶体管	Very High-Speed Switching Applications 超高速开关应用

	2SJ192		功率场效应晶体管	Very High-Speed Switching Applications 超高速开关应用

	2SJ193		功率场效应晶体管	Very High-Speed Switching Applications 超高速开关应用

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功率场效应晶体管热门型号

什么是功率场效应晶体管

功率场效应晶体管（Power MOSFET）是一种广泛应用于功率放大和开关控制的半导体器件。它由金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）演变而来，具有高速度、低驱动电压、低输入电阻、低失真度等特点，因此在现代电子技术中得到了广泛的应用。功率场效应晶体管的主要部分是由P型衬底、N型漂移层、P型沟道以及N型源和漏极组成。沟道区域上方有一层氧化物作为栅极绝缘层。当栅极施加正向电压时，在沟道区域形成一个近似恒定的P型沟道，使漏极和源极之间形成导通通道，从而控制功率场效应晶体管的导通和截止。功率场效应晶体管主要依靠栅源电压的变化来共同控制漏-源电路上的电流。