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功率场效应晶体管

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	2N6770T1E3		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

	2N6782		功率场效应晶体管	N-CHANNEL MOSFET N沟道MOSFET

	2N6782		功率场效应晶体管	N-CHANNEL POWER MOSFET ENHANCEMENT MODE N沟道功率MOSFET增强型

	2N6782		功率场效应晶体管	N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET

	2N6782		功率场效应晶体管	100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6782 with Hermetic Packaging

	2N6782LCC4		功率场效应晶体管	N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET

	2N6782TXV		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF

	2N6782U		功率场效应晶体管	N-CHANNEL MOSFET N沟道MOSFET

	2N6784		功率场效应晶体管	N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 Metal Package N沟道MOSFET在一个密封TO39金属包装

	2N6784		功率场效应晶体管	2.25A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET 2.25A ， 200V ， 1.500 Ohm的N通道功率MOSFET

	2N6784		功率场效应晶体管	N-CHANNEL MOSFET N沟道MOSFET

	2N6784		功率场效应晶体管	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE N沟道增强模式

	2N6784		功率场效应晶体管	200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6784 with Hermetic Packaging

	2N6784U		功率场效应晶体管	N-CHANNEL MOSFET N沟道MOSFET

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	2N6786		功率场效应晶体管	N-CHANNEL ENHANCEMENTE-MODE N沟道ENHANCEMENTE -MODE

	2N6786		功率场效应晶体管	N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 Metal Package N沟道MOSFET在一个密封TO39金属包装

	2N6786		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor

	2N6786		功率场效应晶体管	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,1.2A I(D),TO-39

	2N6786E3		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor

	2N6786TX		功率场效应晶体管	1.25A, 400V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF

	2N6788E		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,

	2N6788E3		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, ROHS COMPLIANT, HERMETI

	2N6788EA		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,

	2N6788EAPBF		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF

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	2N6788ED		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,

	2N6788L		功率场效应晶体管	N-Channel MOSFET N沟道MOSFET

	2N6788LCC4		功率场效应晶体管	N-CHANNEL POWER MOSFET ENHANCEMENT MODE N沟道功率MOSFET增强型

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功率场效应晶体管热门型号

什么是功率场效应晶体管

功率场效应晶体管（Power MOSFET）是一种广泛应用于功率放大和开关控制的半导体器件。它由金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）演变而来，具有高速度、低驱动电压、低输入电阻、低失真度等特点，因此在现代电子技术中得到了广泛的应用。功率场效应晶体管的主要部分是由P型衬底、N型漂移层、P型沟道以及N型源和漏极组成。沟道区域上方有一层氧化物作为栅极绝缘层。当栅极施加正向电压时，在沟道区域形成一个近似恒定的P型沟道，使漏极和源极之间形成导通通道，从而控制功率场效应晶体管的导通和截止。功率场效应晶体管主要依靠栅源电压的变化来共同控制漏-源电路上的电流。