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功率场效应晶体管

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	2N6763		功率场效应晶体管	FET DEVICES WITH N_CHANNEL POLARITY

	2N6764		功率场效应晶体管	N-Channel Power MOSFETs, 38A, 60V/100V N沟道功率MOSFET ， 38A ， 60V / 100V

	2N6764E3		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE, ROHS COMPLIANT, TO-3,

	2N6764SCC5205/013PBF		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA

	2N6764TXV		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE

	2N6765		功率场效应晶体管	High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series 高压功率MOSFET模N沟道增强型高耐用性系列

	2N6765		功率场效应晶体管	N-Channel Power MOSFETs, 30A, 150V/200V N沟道功率MOSFET ， 30A ， 150V / 200V

	2N6765		功率场效应晶体管	FET DEVICES WITH N_CHANNEL POLARITY

	2N6766		功率场效应晶体管	200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AE package - A 2N6766 with Hermetic Packaging

	2N6766SCC5205/013		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA,

	2N6766T1		功率场效应晶体管	N-CHANNEL MOSFET N沟道MOSFET

	2N6766T1E3		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

	2N6766TXV		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE,

	2N6767		功率场效应晶体管	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE N沟道增强模式

	2N6767		功率场效应晶体管	N-Channel Power MOSFETs, 15A, 350V/400V N沟道功率MOSFET ， 15A ， 350V / 400V

	2N6767		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

	2N6768		功率场效应晶体管	N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET

	2N6768		功率场效应晶体管	N-CHANNEL MOSFET N沟道MOSFET

	2N6768		功率场效应晶体管	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE N沟道增强模式

	2N6768		功率场效应晶体管	N-Channel Power MOSFETs, 15A, 350V/400V N沟道功率MOSFET ， 15A ， 350V / 400V

	2N6768		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

	2N6768		功率场效应晶体管	400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AE package - A 2N6768 with Hermetic Packaging

	2N6768T1E3		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

	2N6769		功率场效应晶体管	N-Channel Power MOSFETs, 12A, 450V/500V N沟道功率MOSFET ， 12A ， 450V / 500V

	2N6769		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

	2N6770		功率场效应晶体管	N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET N沟道增强型MOSFET

	2N6770		功率场效应晶体管	N-CHANNEL MOSFET N沟道MOSFET

	2N6770		功率场效应晶体管	N-Channel Power MOSFETs, 12A, 450V/500V N沟道功率MOSFET ， 12A ， 450V / 500V

	2N6770		功率场效应晶体管	500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AA package - A 2N6770 with Hermetic Packaging

	2N6770T1		功率场效应晶体管	N-CHANNEL MOSFET N沟道MOSFET

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功率场效应晶体管热门型号

什么是功率场效应晶体管

功率场效应晶体管（Power MOSFET）是一种广泛应用于功率放大和开关控制的半导体器件。它由金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）演变而来，具有高速度、低驱动电压、低输入电阻、低失真度等特点，因此在现代电子技术中得到了广泛的应用。功率场效应晶体管的主要部分是由P型衬底、N型漂移层、P型沟道以及N型源和漏极组成。沟道区域上方有一层氧化物作为栅极绝缘层。当栅极施加正向电压时，在沟道区域形成一个近似恒定的P型沟道，使漏极和源极之间形成导通通道，从而控制功率场效应晶体管的导通和截止。功率场效应晶体管主要依靠栅源电压的变化来共同控制漏-源电路上的电流。