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功率场效应晶体管

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	2N60L-TMS2-T		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor

	2N60L-TMS4-T		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor

	2N60L-TN3-T		功率场效应晶体管	2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET 2安培， 600伏特N沟道MOSFET

	2N60L-TND-R		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor

	2N65G-TA3-T		功率场效应晶体管	2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 2A ， 650V N沟道功率MOSFET

	2N65G-TN3-R		功率场效应晶体管	2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 2A ， 650V N沟道功率MOSFET

	2N65L-TA3-T		功率场效应晶体管	2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 2A ， 650V N沟道功率MOSFET

	2N65L-TF1-T		功率场效应晶体管	2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 2A ， 650V N沟道功率MOSFET

	2N65L-TF3-T		功率场效应晶体管	2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 2A ， 650V N沟道功率MOSFET

	2N65L-TM3-T		功率场效应晶体管	2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 2A ， 650V N沟道功率MOSFET

	2N6660-2		功率场效应晶体管	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET N沟道60 V （D -S ）的MOSFET

	2N6660X		功率场效应晶体管	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR N沟道增强型MOS晶体管

	2N6661		功率场效应晶体管	N-Channel 80-V and 90-V (D-S) MOSFETS N沟道80 V和90 V（D -S ）的MOSFET

	2N6661B-2		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD, TO-39, 3PIN

	2N6661CSM4		功率场效应晶体管	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET N沟道增强型MOSFET

	2N6661M1A		功率场效应晶体管	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N沟道增强型功率MOSFET

	2N6661N2		功率场效应晶体管	2N6661N2

	2N6755		功率场效应晶体管	N-Channel Power MOSFETs, 14 A, 60 A/100 V N沟道功率MOSFET ， 14 A， 60 A / 100 V

	2N6756		功率场效应晶体管	N-CHANNEL MOSFET N沟道MOSFET

	2N6756		功率场效应晶体管	N-Channel Power MOSFETs, 14 A, 60 A/100 V N沟道功率MOSFET ， 14 A， 60 A / 100 V

	2N6756		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA,

	2N6757		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

	2N6758		功率场效应晶体管	9A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

	2N6758TX		功率场效应晶体管	9A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA

	2N6760		功率场效应晶体管	400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AA package - A 2N6760 with Hermetic Packaging

	2N6760TX		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA

	2N6760TXV		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA

	2N6762		功率场效应晶体管	N-CHANNEL MOSFET N沟道MOSFET

	2N6762TXV		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA

	2N6763		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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功率场效应晶体管热门型号

什么是功率场效应晶体管

功率场效应晶体管（Power MOSFET）是一种广泛应用于功率放大和开关控制的半导体器件。它由金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）演变而来，具有高速度、低驱动电压、低输入电阻、低失真度等特点，因此在现代电子技术中得到了广泛的应用。功率场效应晶体管的主要部分是由P型衬底、N型漂移层、P型沟道以及N型源和漏极组成。沟道区域上方有一层氧化物作为栅极绝缘层。当栅极施加正向电压时，在沟道区域形成一个近似恒定的P型沟道，使漏极和源极之间形成导通通道，从而控制功率场效应晶体管的导通和截止。功率场效应晶体管主要依靠栅源电压的变化来共同控制漏-源电路上的电流。