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功率场效应晶体管

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	2N6789		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

	2N6790		功率场效应晶体管	N–CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET

	2N6790		功率场效应晶体管	3.5A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power 3.5A ， 200V ， 0.800 Ohm的N通道功率

	2N6790		功率场效应晶体管	200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6790 with Hermetic Packaging

	2N6790EC		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,

	2N6790TX		功率场效应晶体管	3.5A, 200V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF

	2N6790TXV		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF

	2N6791		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

	2N6792		功率场效应晶体管	N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 Metal Package N沟道MOSFET在一个密封TO39金属包装

	2N6793		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

	2N6794		功率场效应晶体管	N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET

	2N6794		功率场效应晶体管	N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET

	2N6794LCC4		功率场效应晶体管	N–CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET

	2N6796		功率场效应晶体管	TMOS FET TRANSISTOR N - CHANNEL TMOS FET晶体管N - CHANNEL

	2N6796		功率场效应晶体管	100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6796 with Hermetic Packaging

	2N6796LCC4		功率场效应晶体管	N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET

	2N6796TX		功率场效应晶体管	8A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF

	2N6796TXV		功率场效应晶体管	8A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF

	2N6796U		功率场效应晶体管	N-CHANNEL MOSFET N沟道MOSFET

	2N6798		功率场效应晶体管	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR N沟道增强型晶体管

	2N6798		功率场效应晶体管	200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6798 with Hermetic Packaging

	2N6798E		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,

	2N6798EA		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,

	2N6798EB		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,

	2N6798EBPBF		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF

	2N6798ED		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,

	2N6798EPBF		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF

	2N6798SCC5205/019		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,

	2N6798TX		功率场效应晶体管	5.5A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF

	2N6798TXV		功率场效应晶体管	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF

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功率场效应晶体管热门型号

什么是功率场效应晶体管

功率场效应晶体管（Power MOSFET）是一种广泛应用于功率放大和开关控制的半导体器件。它由金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）演变而来，具有高速度、低驱动电压、低输入电阻、低失真度等特点，因此在现代电子技术中得到了广泛的应用。功率场效应晶体管的主要部分是由P型衬底、N型漂移层、P型沟道以及N型源和漏极组成。沟道区域上方有一层氧化物作为栅极绝缘层。当栅极施加正向电压时，在沟道区域形成一个近似恒定的P型沟道，使漏极和源极之间形成导通通道，从而控制功率场效应晶体管的导通和截止。功率场效应晶体管主要依靠栅源电压的变化来共同控制漏-源电路上的电流。