功率场效应晶体管
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| 图片 | 型号 | 文档 | 类别 | 描述 | 品牌 | 供应商 | |
| 1N60G-TN3-R |  |
功率场效应晶体管 | 1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 1.2A ， 600V N沟道功率MOSFET |
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| 1N60G-TN3-T | |
功率场效应晶体管 | 1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 1.2A ， 600V N沟道功率MOSFET |
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| 1N60L-AA3-R | |
功率场效应晶体管 | 1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 1.2A ， 600V N沟道功率MOSFET |
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| 1N60L-T60-K | |
功率场效应晶体管 | 1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 1.2A ， 600V N沟道功率MOSFET |
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| 1N60L-TF3-T | |
功率场效应晶体管 | 1.2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET 1.2安培， 600伏特N沟道MOSFET |
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| 1N60L-TM3-T | |
功率场效应晶体管 | 1.2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET 1.2安培， 600伏特N沟道MOSFET |
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| 1N60L-TN3-R | |
功率场效应晶体管 | 1.2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET 1.2安培， 600伏特N沟道MOSFET |
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| 1N60L-TN3-T | |
功率场效应晶体管 | 1.2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET 1.2安培， 600伏特N沟道MOSFET |
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22N60G-T47-T | |
功率场效应晶体管 | 22A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 22A ， 600V N沟道功率MOSFET |
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22N60L-T47-T | |
功率场效应晶体管 | 22A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 22A ， 600V N沟道功率MOSFET |
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22N65G-T47-T | |
功率场效应晶体管 | HEXFET POWER MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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22N65L-T47-T | |
功率场效应晶体管 | HEXFET POWER MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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25N06G-TA3-T | |
功率场效应晶体管 | 25A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 25A ， 60V N沟道功率MOSFET |
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25N06L-TA3-T | |
功率场效应晶体管 | 25A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 25A ， 60V N沟道功率MOSFET |
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25N10G-TN3-R | |
功率场效应晶体管 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N沟道增强型功率MOSFET |
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| 29MT050XH | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 500V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MTP, 12 PIN |  |
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| 29MT050XHPBF | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 500V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MTP, 12 PIN | |
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| 2N3819-D27Z | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |  |
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| 2N4856A-2 | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-206AA |  |
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| 2N4857 | |
功率场效应晶体管 | N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor N沟道硅结型场效应晶体管 |
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| 2N4857A-2 | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 40ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-206AA | |
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| 2N4858A-1 | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 60ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-206AA | |
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| 2N4858A-2 | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 60ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-206AA | |
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| 2N60F | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor |  |
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| 2N60KL-TNS-T | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, TO-251S, 3 PIN | |
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| 2N60L-TF2-T | |
功率场效应晶体管 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | |
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2N60L-TF3-T | |
功率场效应晶体管 | 2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET 2安培， 600伏特N沟道MOSFET |
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| 2N60L-TF3T-T | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor | |
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2N60L-TM3-T | |
功率场效应晶体管 | 2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET 2安培， 600伏特N沟道MOSFET |
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| 2N60L-TMS-T | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
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- NP32N055ILE-AZ
- NP82N055KLE-AZ
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- NP22N055ILE-AZ
- NP80N055DHE-AY
- NP88N075CUE-AZ
- NP82N04PUG
- NP86N04DHE-AZ
什么是功率场效应晶体管
- 功率场效应晶体管（Power MOSFET）是一种广泛应用于功率放大和开关控制的半导体器件。它由金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）演变而来，具有高速度、低驱动电压、低输入电阻、低失真度等特点，因此在现代电子技术中得到了广泛的应用。
功率场效应晶体管的主要部分是由P型衬底、N型漂移层、P型沟道以及N型源和漏极组成。沟道区域上方有一层氧化物作为栅极绝缘层。当栅极施加正向电压时，在沟道区域形成一个近似恒定的P型沟道，使漏极和源极之间形成导通通道，从而控制功率场效应晶体管的导通和截止。功率场效应晶体管主要依靠栅源电压的变化来共同控制漏-源电路上的电流。