功率场效应晶体管
图片 型号 文档 类别 描述 品牌 供应商
12N60L-T2Q-T 功率场效应晶体管 12A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET
12A , 600V N沟道功率MOSFET
12N60L-T3P-T 功率场效应晶体管 Power Field-Effect Transistor
12N60L-TF1-T 功率场效应晶体管 12A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET
12A , 600V N沟道功率MOSFET
12N60L-TF2-T 功率场效应晶体管 N-CHANNEL JUNCTION FET
12N65G-T2Q-T 功率场效应晶体管 12A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET
12A , 650V N沟道功率MOSFET
12N65G-T3P-T 功率场效应晶体管 Power Field-Effect Transistor,
12N65G-TA3-T 功率场效应晶体管 12A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET
12A , 650V N沟道功率MOSFET
12N65G-TF1-T 功率场效应晶体管 12A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET
12A , 650V N沟道功率MOSFET
12N65G-TF2-T 功率场效应晶体管 Power Field-Effect Transistor,
12N65G-TF3-T 功率场效应晶体管 12A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET
12A , 650V N沟道功率MOSFET
12N65G-TQ2-R 功率场效应晶体管 Power Field-Effect Transistor,
12N65L-TA3-T 功率场效应晶体管 12A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET
12A , 650V N沟道功率MOSFET
12N65L-TF1-T 功率场效应晶体管 12A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET
12A , 650V N沟道功率MOSFET
12N65L-TF3-T 功率场效应晶体管 12A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET
12A , 650V N沟道功率MOSFET
12N70-TF3-T 功率场效应晶体管 12 Amps, 700 Volts N-CHANNEL MOSFET
12安培, 700伏特N沟道MOSFET
12N70G-TA3-T 功率场效应晶体管 12 Amps, 700 Volts N-CHANNEL MOSFET
12安培, 700伏特N沟道MOSFET
12N70G-TC-T2Q-T 功率场效应晶体管 Power Field-Effect Transistor,
12N70G-TC-TA3-T 功率场效应晶体管 Power Field-Effect Transistor,
12N70G-TC-TF3-T 功率场效应晶体管 Power Field-Effect Transistor,
12N70G-TF1-T 功率场效应晶体管 12 Amps, 700 Volts N-CHANNEL MOSFET
12安培, 700伏特N沟道MOSFET
12N70G-TF2-T 功率场效应晶体管 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
12N70G-TF3-T 功率场效应晶体管 12 Amps, 700 Volts N-CHANNEL MOSFET
12安培, 700伏特N沟道MOSFET
12N70G-TF3T-T 功率场效应晶体管 Power Field-Effect Transistor,
12N70L-TA3-T 功率场效应晶体管 12 Amps, 700 Volts N-CHANNEL MOSFET
12安培, 700伏特N沟道MOSFET
12N70L-TC-T2Q-T 功率场效应晶体管 Power Field-Effect Transistor,
12N70L-TC-TF1-T 功率场效应晶体管 Power Field-Effect Transistor,
12N70L-TF1-T 功率场效应晶体管 12 Amps, 700 Volts N-CHANNEL MOSFET
12安培, 700伏特N沟道MOSFET
12N70L-TF2-T 功率场效应晶体管 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
12N70L-TF3-T 功率场效应晶体管 12 Amps, 700 Volts N-CHANNEL MOSFET
12安培, 700伏特N沟道MOSFET
12N70L-TF3T-T 功率场效应晶体管 Power Field-Effect Transistor,
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什么是功率场效应晶体管

    功率场效应晶体管(Power MOSFET)是一种广泛应用于功率放大和开关控制的半导体器件。它由金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)演变而来,具有高速度、低驱动电压、低输入电阻、低失真度等特点,因此在现代电子技术中得到了广泛的应用。 功率场效应晶体管的主要部分是由P型衬底、N型漂移层、P型沟道以及N型源和漏极组成。沟道区域上方有一层氧化物作为栅极绝缘层。当栅极施加正向电压时,在沟道区域形成一个近似恒定的P型沟道,使漏极和源极之间形成导通通道,从而控制功率场效应晶体管的导通和截止。功率场效应晶体管主要依靠栅源电压的变化来共同控制漏-源电路上的电流。