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图片 | 型号 | 文档 | 类别 | 描述 | 品牌 | 供应商 | |
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12N60L-T2Q-T | ![]() |
功率场效应晶体管 | 12A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 12A , 600V N沟道功率MOSFET |
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12N60L-T3P-T | ![]() |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor | ![]() |
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12N60L-TF1-T | ![]() |
功率场效应晶体管 | 12A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 12A , 600V N沟道功率MOSFET |
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12N60L-TF2-T | ![]() |
功率场效应晶体管 | N-CHANNEL JUNCTION FET | ![]() |
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12N65G-T2Q-T | ![]() |
功率场效应晶体管 | 12A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 12A , 650V N沟道功率MOSFET |
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12N65G-T3P-T | ![]() |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, | ![]() |
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12N65G-TA3-T | ![]() |
功率场效应晶体管 | 12A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 12A , 650V N沟道功率MOSFET |
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12N65G-TF1-T | ![]() |
功率场效应晶体管 | 12A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 12A , 650V N沟道功率MOSFET |
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12N65G-TF2-T | ![]() |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, | ![]() |
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12N65G-TF3-T | ![]() |
功率场效应晶体管 | 12A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 12A , 650V N沟道功率MOSFET |
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12N65G-TQ2-R | ![]() |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, | ![]() |
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12N65L-TA3-T | ![]() |
功率场效应晶体管 | 12A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 12A , 650V N沟道功率MOSFET |
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12N65L-TF1-T | ![]() |
功率场效应晶体管 | 12A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 12A , 650V N沟道功率MOSFET |
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12N65L-TF3-T | ![]() |
功率场效应晶体管 | 12A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 12A , 650V N沟道功率MOSFET |
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12N70-TF3-T | ![]() |
功率场效应晶体管 | 12 Amps, 700 Volts N-CHANNEL MOSFET 12安培, 700伏特N沟道MOSFET |
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12N70G-TA3-T | ![]() |
功率场效应晶体管 | 12 Amps, 700 Volts N-CHANNEL MOSFET 12安培, 700伏特N沟道MOSFET |
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12N70G-TC-T2Q-T | ![]() |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, | ![]() |
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功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, | ![]() |
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功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, | ![]() |
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12N70G-TF1-T | ![]() |
功率场效应晶体管 | 12 Amps, 700 Volts N-CHANNEL MOSFET 12安培, 700伏特N沟道MOSFET |
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12N70G-TF2-T | ![]() |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | ![]() |
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12N70G-TF3-T | ![]() |
功率场效应晶体管 | 12 Amps, 700 Volts N-CHANNEL MOSFET 12安培, 700伏特N沟道MOSFET |
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12N70G-TF3T-T | ![]() |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, | ![]() |
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功率场效应晶体管 | 12 Amps, 700 Volts N-CHANNEL MOSFET 12安培, 700伏特N沟道MOSFET |
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功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, | ![]() |
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功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, | ![]() |
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功率场效应晶体管 | 12 Amps, 700 Volts N-CHANNEL MOSFET 12安培, 700伏特N沟道MOSFET |
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12N70L-TF2-T | ![]() |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | ![]() |
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12N70L-TF3-T | ![]() |
功率场效应晶体管 | 12 Amps, 700 Volts N-CHANNEL MOSFET 12安培, 700伏特N沟道MOSFET |
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12N70L-TF3T-T | ![]() |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, | ![]() |
功率场效应晶体管 热门型号
- GNE1015TB
- GNE1007TB
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- CSD18532Q5BT
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- SVD14N03RT4G
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- FRS244R2
- NP84N055DHE-AY
- FRS244H2
- FRS244H4
什么是功率场效应晶体管
- 功率场效应晶体管(Power MOSFET)是一种广泛应用于功率放大和开关控制的半导体器件。它由金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)演变而来,具有高速度、低驱动电压、低输入电阻、低失真度等特点,因此在现代电子技术中得到了广泛的应用。
功率场效应晶体管的主要部分是由P型衬底、N型漂移层、P型沟道以及N型源和漏极组成。沟道区域上方有一层氧化物作为栅极绝缘层。当栅极施加正向电压时,在沟道区域形成一个近似恒定的P型沟道,使漏极和源极之间形成导通通道,从而控制功率场效应晶体管的导通和截止。功率场效应晶体管主要依靠栅源电压的变化来共同控制漏-源电路上的电流。