功率场效应晶体管
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| 图片 | 型号 | 文档 | 类别 | 描述 | 品牌 | 供应商 | |
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12P10-TN3-R |  |
功率场效应晶体管 | 100V P-CHANNEL MOSFET 100V P沟道MOSFET |
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12P10G-TN3-R | |
功率场效应晶体管 | 100V P-CHANNEL MOSFET 100V P沟道MOSFET |
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12P10G-TQ2-R | |
功率场效应晶体管 | 9.4A, 100V P-CHANNEL POWER MOSFET 输出高达9.4A ， 100V P沟道功率MOSFET |
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12P10G-TQ2-T | |
功率场效应晶体管 | 9.4A, 100V P-CHANNEL POWER MOSFET 输出高达9.4A ， 100V P沟道功率MOSFET |
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12P10L-TN3-R | |
功率场效应晶体管 | 100V P-CHANNEL MOSFET 100V P沟道MOSFET |
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12P10L-TQ2-R | |
功率场效应晶体管 | 9.4A, 100V P-CHANNEL POWER MOSFET 输出高达9.4A ， 100V P沟道功率MOSFET |
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12P10L-TQ2-T | |
功率场效应晶体管 | 9.4A, 100V P-CHANNEL POWER MOSFET 输出高达9.4A ， 100V P沟道功率MOSFET |
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13N40G-TF3-T | |
功率场效应晶体管 | 13A, 400V N-CHANNEL POWER MOSFET 13A ， 400V N沟道功率MOSFET |
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13N50G-TA3-T | |
功率场效应晶体管 | 13A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET 13A ， 500V N沟道功率MOSFET |
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13N50G-TF1-T | |
功率场效应晶体管 | 13A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET 13A ， 500V N沟道功率MOSFET |
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13N50L-TA3-T | |
功率场效应晶体管 | 500V N-CHANNEL MOSFET 500V N沟道MOSFET |
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13N50L-TF1-T | |
功率场效应晶体管 | 500V N-CHANNEL MOSFET 500V N沟道MOSFET |
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13N50L-TF3-T | |
功率场效应晶体管 | 500V N-CHANNEL MOSFET 500V N沟道MOSFET |
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15N06G-TA3-T | |
功率场效应晶体管 | 15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 15A ， 60V N沟道功率MOSFET |
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15N06G-TF3-T | |
功率场效应晶体管 | 15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 15A ， 60V N沟道功率MOSFET |
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15N06G-TN3-R | |
功率场效应晶体管 | 15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 15A ， 60V N沟道功率MOSFET |
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| 15N06L-S08-R | |
功率场效应晶体管 | 15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 15A ， 60V N沟道功率MOSFET |
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| 15N06L-S08-T | |
功率场效应晶体管 | 15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 15A ， 60V N沟道功率MOSFET |
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15N06L-TA3-T | |
功率场效应晶体管 | 15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 15A ， 60V N沟道功率MOSFET |
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15N06L-TF3-T | |
功率场效应晶体管 | 15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 15A ， 60V N沟道功率MOSFET |
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15N06L-TN3-R | |
功率场效应晶体管 | 15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 15A ， 60V N沟道功率MOSFET |
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| 15N06L-TN3-T | |
功率场效应晶体管 | 15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET 15A ， 60V N沟道功率MOSFET |
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18N40G-T47-T | |
功率场效应晶体管 | 400V N-CHANNEL POWER MOSFET 400V N沟道功率MOSFET |
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18N40L-T47-T | |
功率场效应晶体管 | 400V N-CHANNEL POWER MOSFET 400V N沟道功率MOSFET |
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18N60G-T47-T | |
功率场效应晶体管 | POLARHV HIPERFET POWER MOSFET PolarHV HiPerFET功率MOSFET |
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18N60L-T47-T | |
功率场效应晶体管 | POLARHV HIPERFET POWER MOSFET PolarHV HiPerFET功率MOSFET |
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| 19MT050XFAPBF | |
功率场效应晶体管 | 'Full Bridge' FREDFET MTP (Power MOSFET), 31 A “全桥” FREDFET MTP （功率MOSFET ） ，三十一甲 |
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19N10G-T3P-T | |
功率场效应晶体管 | 100V N-Channel MOSFET 100V N沟道MOSFET |
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19N10G-TA3-T | |
功率场效应晶体管 | 100V N-Channel MOSFET 100V N沟道MOSFET |
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19N10G-TM3-T | |
功率场效应晶体管 | 100V N-Channel MOSFET 100V N沟道MOSFET |
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功率场效应晶体管 热门型号
- FRS244D2
- 2SK3112-Z-E1-AZ
- FRS244R4
- FDS2670D84Z
- NDB6030S62Z
- FRS244D4
- GFP70N03/45A
- NDS9933L86Z
- IRFF9230-2
- FMW10N90GSC
- 2SJ605-Z-E2-AZ
- FRS244R3
- 2SJ605-ZJ-E2-AZ
- 2SK3112-ZJ-E1-AZ
- 2SJ605(0)-Z-E1-AY
- 2N7275R
- FRS244R1
- NP84N055CHE-AZ
- FRS244D3
- BUK104-50L,127
- BUK104-50S,127
- BUK104-50S127
- BUK104-50L127
- BUK104-50SP127
- 2SK2059L-E
- NDP6060/J69Z
- APT5040BNR-GULLWING
- APT6035SVFRG
- APT5050BNR-BUTT
- ZVNL120GTA
- ZVP2120GTA
- ZVP2120GTA
- ZVN2110GTA
- ZVNL110GTC
- ZVN4310GTA
- ZVN4310GTA
- ZVN2106ZTA
- ZVN4306GVTA
- ZXMN10B08E6QTC
- ZVP2110GTC
- ZXMS6002GQTA
- ZVP4424GTA
- ZVNL120GTC
- VNP20N07-E
- VNB28N04-E
- VNP10N07-E
- VNN3NV04P-E
- UPA1731G-A
- UPA2780GR-A
- UPA2754GR-A
- UPA611TA-T1-AT
- UPA2700TP-AZ
- UPA1722G-A
- UPA1730TP-AZ
- UPA1709G-AZ
- UPA1970TE-A
- UPA2710GR-A
- UPA1708G-AZ
- UPA1576H-AZ
- UPA2711GR-A
- UPA1706G-A
- UPA1763G-A
- UPA1744TP-AZ
- UFT5-28S
- TPIC5601DWR
- TPIC5302DR
- TPIC5421LDW
- TP2520N8-G
- TPIC5323LDR
- TP2502N8-G
- TP2435N8-G
- TN5325N8-G
- TK13J65U(F)
- TK20J60U(Q)
- TK12J60U(Q)
- TK40J60U(Q)
- TK20J50D(F)
- STW26NM50FD
- STP55N06FI
- STW45NM60D
- STD25NF10LA
- STB75NF75TRL
- STD4N62K3TRL
- STP13NM60N-H
- STP13NM60ND
- STB18NM60NTRL
- STD10NM60ND
- STD12NF06LAG
- STD12N65M5TRL
- STD3NM60N
- STD8N65M5TRL
- STD7N52DK3TRL
- STB32N65M5TRL
- STB230NH03LTRL
- SSW1N60ATM
- SSW2N80ATM
- SSW1N60BTM
- SSR2N60BTF
- SSI7N60BTU
- SSI1N60BTU
什么是功率场效应晶体管
- 功率场效应晶体管（Power MOSFET）是一种广泛应用于功率放大和开关控制的半导体器件。它由金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）演变而来，具有高速度、低驱动电压、低输入电阻、低失真度等特点，因此在现代电子技术中得到了广泛的应用。
功率场效应晶体管的主要部分是由P型衬底、N型漂移层、P型沟道以及N型源和漏极组成。沟道区域上方有一层氧化物作为栅极绝缘层。当栅极施加正向电压时，在沟道区域形成一个近似恒定的P型沟道，使漏极和源极之间形成导通通道，从而控制功率场效应晶体管的导通和截止。功率场效应晶体管主要依靠栅源电压的变化来共同控制漏-源电路上的电流。