功率场效应晶体管
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| 图片 | 型号 | 文档 | 类别 | 描述 | 品牌 | 供应商 | |
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19N10G-TN3-R |  |
功率场效应晶体管 | 100V N-Channel MOSFET 100V N沟道MOSFET |
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19N10G-TQ2-R | |
功率场效应晶体管 | 100V N-Channel MOSFET 100V N沟道MOSFET |
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19N10G-TQ2-T | |
功率场效应晶体管 | 100V N-Channel MOSFET 100V N沟道MOSFET |
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19N10L-T3P-T | |
功率场效应晶体管 | 100V N-Channel MOSFET 100V N沟道MOSFET |
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19N10L-TA3-T | |
功率场效应晶体管 | 100V N-Channel MOSFET 100V N沟道MOSFET |
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19N10L-TN3-R | |
功率场效应晶体管 | 100V N-Channel MOSFET 100V N沟道MOSFET |
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19N10L-TQ2-R | |
功率场效应晶体管 | 100V N-Channel MOSFET 100V N沟道MOSFET |
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19N10L-TQ2-T | |
功率场效应晶体管 | 100V N-Channel MOSFET 100V N沟道MOSFET |
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| 1N40AG-TM3-T | |
功率场效应晶体管 | N-CHANNEL ENHANCEMENT | |
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1N60AG-A-T92-B | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 600V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, HALOGEN FREE PACKAGE-3 | |
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1N60AG-A-T92-K | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 600V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, HALOGEN FREE PACKAGE-3 | |
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1N60AG-B-T92-B | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 650V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, HALOGEN FREE PACKAGE-3 | |
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1N60AG-B-T92-K | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 650V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, HALOGEN FREE PACKAGE-3 | |
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1N60AG-T92-B | |
功率场效应晶体管 | 0.5A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 0.5A ， 600V N沟道功率MOSFET |
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1N60AG-T92-K | |
功率场效应晶体管 | 0.5A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 0.5A ， 600V N沟道功率MOSFET |
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| 1N60AG-TM3-T | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor | |
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| 1N60AG-TN3-R | |
功率场效应晶体管 | N-CHANNEL POWER MOSFET | |
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1N60AL-A-T92-B | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 600V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3 | |
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1N60AL-B-T92-B | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 650V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3 | |
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1N60AL-B-T92-K | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 650V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3 | |
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1N60AL-T92-B | |
功率场效应晶体管 | 0.5A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 0.5A ， 600V N沟道功率MOSFET |
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1N60AL-T92-K | |
功率场效应晶体管 | 0.5A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 0.5A ， 600V N沟道功率MOSFET |
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| 1N60AL-TM3-T | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor | |
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| 1N60AL-TN3-R | |
功率场效应晶体管 | N-CHANNEL POWER MOSFET | |
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| 1N60G-AA3-R | |
功率场效应晶体管 | 1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 1.2A ， 600V N沟道功率MOSFET |
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| 1N60G-LC1-TM3-T | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, | |
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| 1N60G-T60-K | |
功率场效应晶体管 | 1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 1.2A ， 600V N沟道功率MOSFET |
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| 1N60G-TA3-T | |
功率场效应晶体管 | 1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 1.2A ， 600V N沟道功率MOSFET |
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| 1N60G-TM3-T | |
功率场效应晶体管 | 1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET 1.2A ， 600V N沟道功率MOSFET |
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| 1N60G-TMS2-T | |
功率场效应晶体管 | Power Field-Effect Transistor, | |
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功率场效应晶体管 热门型号
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- SIHF520S
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- SIHF610STR
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- SIHF9640S
- SIHFBF30S
- SI9933ADY_NL
- SIHF530STR
- SI4532DY_NL
- SHD218502A
- SHD2181BS
- SI1303
- SHD21810S
- SHD246723S
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- SHD2257S
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- SHD2183AS
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- SHD218501A
- SFX9130JUB
- SFF50N30MUBTX
- SFU2955TU
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- SFW9Z24TM
- SFM9210TF
- SFW9540TM
- SFL044JDBS
- SFI9640TU
- SFW9530TM
- SFW9640TM
- SFR9230BTM
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- SFU9230BTU
- SFR9310TF
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- SFF40N30ZUB
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什么是功率场效应晶体管
- 功率场效应晶体管（Power MOSFET）是一种广泛应用于功率放大和开关控制的半导体器件。它由金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）演变而来，具有高速度、低驱动电压、低输入电阻、低失真度等特点，因此在现代电子技术中得到了广泛的应用。
功率场效应晶体管的主要部分是由P型衬底、N型漂移层、P型沟道以及N型源和漏极组成。沟道区域上方有一层氧化物作为栅极绝缘层。当栅极施加正向电压时，在沟道区域形成一个近似恒定的P型沟道，使漏极和源极之间形成导通通道，从而控制功率场效应晶体管的导通和截止。功率场效应晶体管主要依靠栅源电压的变化来共同控制漏-源电路上的电流。